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二硫化钨二维原子晶体的可控生长与性能研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第11-24页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 二维过渡金属硫族化合物第12-18页
        1.2.1 二维过渡金属硫族化合物基本物理性质第12-13页
        1.2.2 二维过渡金属硫族化合物制备方法第13-18页
    1.3 化学气相沉积法制备WS_2薄膜第18-22页
        1.3.1 源的选择对WS_2薄膜生长的影响第18-19页
        1.3.2 不同基底对WS_2薄膜的影响第19-20页
        1.3.3 基于WS_2薄膜场效应晶体管第20-22页
    1.4 课题研究内容和选题意义第22-24页
第2章 CVD法制备WS_2薄膜及表征第24-54页
    2.1 实验相关的技术设备第24-30页
        2.1.1 实验所用化学试剂、耗材及设备第24-25页
        2.1.2 表征所用仪器设备第25-30页
    2.2 WS_2薄膜CVD生长第30-38页
        2.2.1 WS_2薄膜的生长流程第30-32页
        2.2.2 衬底位置变化的对WS_2薄膜的影响第32-34页
        2.2.3 钨源温度对WS_2薄膜的影响第34-35页
        2.2.4 不同衬底下对WS_2薄膜的影响第35-38页
    2.3 WS_2薄膜表征第38-45页
        2.3.1 两种WS_2薄膜的形貌第38-39页
        2.3.2 WS_2薄膜的结构表征第39-43页
        2.3.3 单层WS_2薄膜的光电性能表征第43-45页
    2.4 单层WS_2薄膜荧光时效第45-52页
        2.4.1 WS_2薄膜的荧光表征第45-47页
        2.4.2 PVC铺盖WS_2薄膜的荧光表征第47-49页
        2.4.3 WS_2薄膜转移至新基底的拉曼表征第49-52页
    2.5 本章小结第52-54页
第3章 CVD生长层数可控的WS_2薄膜第54-67页
    3.1 前言第54页
    3.2 多层WS_2薄膜CVD制备第54-57页
        3.2.1 多层WS_2薄膜生长制备流程第54-55页
        3.2.2 两种方法制备多层WS_2薄膜形貌第55-57页
    3.3 双层WS_2薄膜表征第57-63页
        3.3.1 双层WS_2形貌第57-58页
        3.3.2 双层WS_2薄膜结构表征第58-59页
        3.3.3 双层WS_2薄膜光电性能第59-63页
    3.4 多层WS_2薄膜表征第63-65页
    3.5 本章小结第65-67页
第4章 CVD生长硫钼钨掺杂及异质结第67-81页
    4.1 前言第67页
    4.2 CVD法制备WS_2-W_xMo_(1-x)S_2-MoS_2横向掺杂设计第67-68页
    4.3 调节参数对样品形貌的影响第68-74页
        4.3.1 钼源位置变化对样品形貌的影响第68-71页
        4.3.2 钼源的量变化对样品形貌的影响第71-72页
        4.3.3 载气流量变化对样品形貌的影响第72页
        4.3.4 选用蓝宝石基底生长样品第72-73页
        4.3.5 升温速率对样品形貌的影响第73-74页
    4.4 WS_2/MoS_2掺杂及异质结薄膜的生长机制第74-75页
    4.5 硫钼钨掺杂及异质结表征第75-79页
        4.5.1 MoS_2薄膜拉曼表征第75-76页
        4.5.2 单层WS_2掺Mo时的荧光时效变化及拉曼表征第76-77页
        4.5.3 单层WS_2-W_xMo(1-x)S_2-MoS_2横向掺杂异质结拉曼表征第77-78页
        4.5.4 单层W_xMo(1-x)S_2横向掺杂TEM表征第78页
        4.5.5 垂直异质结拉曼表征第78-79页
    4.6 本章小结第79-81页
第5章 结论与展望第81-83页
    5.1 结论第81-82页
    5.2 展望第82-83页
参考文献第83-89页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要研究成果第89-90页
致谢第90页

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