| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 二维过渡金属硫族化合物 | 第12-18页 |
| 1.2.1 二维过渡金属硫族化合物基本物理性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 二维过渡金属硫族化合物制备方法 | 第13-18页 |
| 1.3 化学气相沉积法制备WS_2薄膜 | 第18-22页 |
| 1.3.1 源的选择对WS_2薄膜生长的影响 | 第18-19页 |
| 1.3.2 不同基底对WS_2薄膜的影响 | 第19-20页 |
| 1.3.3 基于WS_2薄膜场效应晶体管 | 第20-22页 |
| 1.4 课题研究内容和选题意义 | 第22-24页 |
| 第2章 CVD法制备WS_2薄膜及表征 | 第24-54页 |
| 2.1 实验相关的技术设备 | 第24-30页 |
| 2.1.1 实验所用化学试剂、耗材及设备 | 第24-25页 |
| 2.1.2 表征所用仪器设备 | 第25-30页 |
| 2.2 WS_2薄膜CVD生长 | 第30-38页 |
| 2.2.1 WS_2薄膜的生长流程 | 第30-32页 |
| 2.2.2 衬底位置变化的对WS_2薄膜的影响 | 第32-34页 |
| 2.2.3 钨源温度对WS_2薄膜的影响 | 第34-35页 |
| 2.2.4 不同衬底下对WS_2薄膜的影响 | 第35-38页 |
| 2.3 WS_2薄膜表征 | 第38-45页 |
| 2.3.1 两种WS_2薄膜的形貌 | 第38-39页 |
| 2.3.2 WS_2薄膜的结构表征 | 第39-43页 |
| 2.3.3 单层WS_2薄膜的光电性能表征 | 第43-45页 |
| 2.4 单层WS_2薄膜荧光时效 | 第45-52页 |
| 2.4.1 WS_2薄膜的荧光表征 | 第45-47页 |
| 2.4.2 PVC铺盖WS_2薄膜的荧光表征 | 第47-49页 |
| 2.4.3 WS_2薄膜转移至新基底的拉曼表征 | 第49-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第3章 CVD生长层数可控的WS_2薄膜 | 第54-67页 |
| 3.1 前言 | 第54页 |
| 3.2 多层WS_2薄膜CVD制备 | 第54-57页 |
| 3.2.1 多层WS_2薄膜生长制备流程 | 第54-55页 |
| 3.2.2 两种方法制备多层WS_2薄膜形貌 | 第55-57页 |
| 3.3 双层WS_2薄膜表征 | 第57-63页 |
| 3.3.1 双层WS_2形貌 | 第57-58页 |
| 3.3.2 双层WS_2薄膜结构表征 | 第58-59页 |
| 3.3.3 双层WS_2薄膜光电性能 | 第59-63页 |
| 3.4 多层WS_2薄膜表征 | 第63-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第4章 CVD生长硫钼钨掺杂及异质结 | 第67-81页 |
| 4.1 前言 | 第67页 |
| 4.2 CVD法制备WS_2-W_xMo_(1-x)S_2-MoS_2横向掺杂设计 | 第67-68页 |
| 4.3 调节参数对样品形貌的影响 | 第68-74页 |
| 4.3.1 钼源位置变化对样品形貌的影响 | 第68-71页 |
| 4.3.2 钼源的量变化对样品形貌的影响 | 第71-72页 |
| 4.3.3 载气流量变化对样品形貌的影响 | 第72页 |
| 4.3.4 选用蓝宝石基底生长样品 | 第72-73页 |
| 4.3.5 升温速率对样品形貌的影响 | 第73-74页 |
| 4.4 WS_2/MoS_2掺杂及异质结薄膜的生长机制 | 第74-75页 |
| 4.5 硫钼钨掺杂及异质结表征 | 第75-79页 |
| 4.5.1 MoS_2薄膜拉曼表征 | 第75-76页 |
| 4.5.2 单层WS_2掺Mo时的荧光时效变化及拉曼表征 | 第76-77页 |
| 4.5.3 单层WS_2-W_xMo(1-x)S_2-MoS_2横向掺杂异质结拉曼表征 | 第77-78页 |
| 4.5.4 单层W_xMo(1-x)S_2横向掺杂TEM表征 | 第78页 |
| 4.5.5 垂直异质结拉曼表征 | 第78-79页 |
| 4.6 本章小结 | 第79-81页 |
| 第5章 结论与展望 | 第81-83页 |
| 5.1 结论 | 第81-82页 |
| 5.2 展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要研究成果 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
