首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--设计论文

可配置NAND Flash纠错技术研究

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 研究背景及意义第9-10页
    1.2 NAND Flash存储器简介第10-18页
    1.3 国内外研究现状第18-19页
    1.4 研究内容及章节安排第19-21页
第二章 BCH码理论基础第21-31页
    2.1 代数理论基础第21-23页
    2.2 纠错码理论基础第23-25页
    2.3 BCH码编码原理第25-26页
    2.4 BCH码译码原理第26-30页
    2.5 本章小结第30-31页
第三章 可配置的BCH编码器的设计第31-35页
    3.1 BCH码参数的设计第31-32页
    3.2 BCH编码器的设计与实现第32-34页
        3.2.1 8位并行编码器设计第32-33页
        3.2.2 模式可配置的并行编码器设计第33-34页
    3.3 本章小结第34-35页
第四章 可配置的BCH译码器的设计第35-44页
    4.1 译码器的体系结构及其可配置设计第35-36页
    4.2 校正子Si计算第36-38页
    4.3 错误位置多项式σ(x)计算第38-41页
    4.4 错误模式E(x)计算第41-43页
    4.5 本章小结第43-44页
第五章 仿真与综合第44-56页
    5.1 功能仿真第44-46页
    5.2 资源消耗第46-48页
    5.3 功耗分析第48-52页
    5.4 综合结果第52-54页
    5.5 本章小结第54-56页
第六章 总结与展望第56-58页
参考文献第58-61页
作者在读期间科研成果简介第61-62页
致谢第62-63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:商业秘密的合理保密措施研究
下一篇:不知情贩卖假毒品的定性研究