| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·SiC 晶体结构 | 第12-14页 |
| ·SiC 材料特性 | 第14-17页 |
| ·SiC 材料与器件的发展 | 第17-20页 |
| ·SiC 外延材料表征现状及存在问题 | 第20-23页 |
| ·本文工作的目的及内容 | 第23-26页 |
| 第二章 SiC 外延材料生长和表征技术 | 第26-48页 |
| ·SiC 外延材料生长 | 第26-30页 |
| ·SiC 外延材料生长机理 | 第26页 |
| ·外延生长反应器 | 第26-27页 |
| ·衬底 | 第27-29页 |
| ·SiC 外延材料生长源 | 第29页 |
| ·掺杂技术 | 第29-30页 |
| ·SiC 外延材料制备工艺 | 第30-32页 |
| ·衬底清洗 | 第30-31页 |
| ·外延材料生长工艺 | 第31-32页 |
| ·SiC 外延材料表征技术 | 第32-46页 |
| ·傅立叶变换红外谱 | 第32-37页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第37-40页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第40-43页 |
| ·Raman 散射谱 | 第43-45页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 SiC 外延材料表面化学组分研究 | 第48-70页 |
| ·SiC 表面化学态研究中存在的问题 | 第48-51页 |
| ·SiC 外延材料表面化学键的研究 | 第51-54页 |
| ·SiC 外延材料表面元素的确定 | 第51-52页 |
| ·外延材料表面化学键的确定 | 第52-54页 |
| ·XPS 谱的拟合 | 第54-58页 |
| ·高信噪比XPS 谱的获取 | 第54-55页 |
| ·XPS 谱背底抽取 | 第55-56页 |
| ·拟合峰型选取 | 第56页 |
| ·最优拟合结果的判断标准 | 第56-58页 |
| ·SiC 外延材料表面C 1s 谱最优拟合参数的研究 | 第58-64页 |
| ·当前SiC XPS 窄扫描拟合存在的问题 | 第58-59页 |
| ·拟合参数对C 1s 谱拟合结果的影响 | 第59-64页 |
| ·SiC 外延材料表面化学态的确定 | 第64-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 4H-SiC 外延层的红外反射谱研究 | 第70-130页 |
| ·SiC 外延层横、纵光学声子频率的确定 | 第73-77页 |
| ·SiC 外延材料组分的确定 | 第77页 |
| ·SiC 外延材料晶粒取向的确定 | 第77-78页 |
| ·SiC 外延材料高频介电常数的确定 | 第78-79页 |
| ·SiC 外延材料-衬底系统结构的确定 | 第79-124页 |
| ·半无限体结构 | 第79-84页 |
| ·半无限衬底上单层膜结构 | 第84-93页 |
| ·半无限衬底上双层膜结构 | 第93-104页 |
| ·半无限衬底上三层膜结构 | 第104-124页 |
| ·一种新的SiC 外延材料质量评估技术 | 第124-128页 |
| ·其它表征技术测试结果的质量评估 | 第124-127页 |
| ·红外镜面反射谱与其它表征技术解析结果的对比 | 第127-128页 |
| ·本章小结 | 第128-130页 |
| 第五章 研究工作总结 | 第130-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 参考文献 | 第136-160页 |
| 作者攻读博士学位期间的研究成果和参加的科研项目 | 第160-161页 |