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通过控制薄膜形貌制备高效率量子点发光二极管

中文摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-26页
    1.1 引言第10页
    1.2 量子点的概述第10-13页
        1.2.1 量子限域效应第10-11页
        1.2.2 量子点的发光原理第11-12页
        1.2.3 与量子点发光相关的光学参数第12-13页
    1.3 量子点在光电领域中的应用第13页
        1.3.1 量子点在太阳能电池中的应用第13页
        1.3.2 量子点在QLEDs中的应用第13页
    1.4 QLEDs的器件结构及其制备方法第13-16页
        1.4.1 QLEDs的四种结构第13-14页
        1.4.2 QLEDs的正反向结构以及制备方法第14-15页
        1.4.3 常用的全溶液制备方法第15-16页
    1.5 QLEDs的发光机理第16-18页
        1.5.1 电子和空穴的注入与传输第16-17页
        1.5.2 电子和空穴的复合第17-18页
    1.6 QLEDs器件的发展近况第18页
    1.7 QLEDs在显示和照明领域的应用第18-20页
    1.8 本论文的选题依据及研究内容第20-21页
        1.8.1 本论文的选题依据第20-21页
        1.8.2 本论文主要内容第21页
    参考文献第21-26页
第二章 基于光交联剂的空穴传输层在QLEDs中的研究第26-45页
    2.1 引言第26页
    2.2 实验原料及设备第26-28页
    2.3 实验过程第28-29页
        2.3.1 BP-BP的合成第28页
        2.3.2 ZnO纳米颗粒的合成第28-29页
        2.3.3 ITO的清洗第29页
        2.3.4 QLEDs器件的制备第29页
    2.4 实验结果与讨论第29-37页
        2.4.1 BP-BP的红外表征第29-30页
        2.4.2 氧化锌纳米颗粒的表征第30-32页
        2.4.3 TFB和CdSe/ZnS薄膜表征第32-37页
    2.5 QLEDs器件表征与结果讨论第37-41页
    2.6 柔性器件的制备第41-42页
    2.7 本章小结第42-43页
    参考文献第43-45页
第三章 不同溶剂对量子点成膜性的影响第45-63页
    3.1 引言第45-46页
    3.2 实验原料及设备第46-47页
    3.3 实验步骤第47页
        3.3.1 ITO、硅片的清洗第47页
        3.3.2 基于不同溶剂的量子点薄膜的制备第47页
    3.4 实验结果与讨论第47-51页
        3.4.1 TFB薄膜形貌分析第47-48页
        3.4.2 量子点薄膜表征第48-51页
    3.5 影响量子点成膜质量的因素第51-60页
        3.5.1 量子点表面张力的计算第51-53页
        3.5.2 条纹缺陷的产生第53-57页
        3.5.3 旋涂方式和环境温度对薄膜质量的影响第57-58页
        3.5.4 溶剂的溶解能力对薄膜质量的影响第58-59页
        3.5.6 基于不同烷烃制备的PbS量子点形貌分析第59-60页
    3.6 本章小结第60-61页
    参考文献第61-63页
第四章 量子点薄膜质量对QLEDs器件效率的影响第63-75页
    4.1 引言第63页
    4.2 实验原料及设备第63-64页
    4.3 实验步骤第64-65页
        4.3.1 ITO的清洗第64页
        4.3.2 氧化锌的制备第64页
        4.3.3 器件的制备第64-65页
    4.4 实验结果与讨论第65-72页
        4.4.1 基于不同烷烃溶剂的QLEDs效率第65-68页
        4.4.2 不同TFB厚度对器件效率的影响第68-70页
        4.4.3 三基色器件的制备第70-72页
    4.5 本章小结第72-73页
    参考文献第73-75页
第五章 全文总结与展望第75-77页
    5.1 全文总结第75-76页
    5.2 研究展望第76-77页
公开发表的学术论文及参加的会议报告第77-79页
    期刊论文第77页
    参加的学术会议第77-79页
致谢第79页

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