中文摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-26页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 量子点的概述 | 第10-13页 |
1.2.1 量子限域效应 | 第10-11页 |
1.2.2 量子点的发光原理 | 第11-12页 |
1.2.3 与量子点发光相关的光学参数 | 第12-13页 |
1.3 量子点在光电领域中的应用 | 第13页 |
1.3.1 量子点在太阳能电池中的应用 | 第13页 |
1.3.2 量子点在QLEDs中的应用 | 第13页 |
1.4 QLEDs的器件结构及其制备方法 | 第13-16页 |
1.4.1 QLEDs的四种结构 | 第13-14页 |
1.4.2 QLEDs的正反向结构以及制备方法 | 第14-15页 |
1.4.3 常用的全溶液制备方法 | 第15-16页 |
1.5 QLEDs的发光机理 | 第16-18页 |
1.5.1 电子和空穴的注入与传输 | 第16-17页 |
1.5.2 电子和空穴的复合 | 第17-18页 |
1.6 QLEDs器件的发展近况 | 第18页 |
1.7 QLEDs在显示和照明领域的应用 | 第18-20页 |
1.8 本论文的选题依据及研究内容 | 第20-21页 |
1.8.1 本论文的选题依据 | 第20-21页 |
1.8.2 本论文主要内容 | 第21页 |
参考文献 | 第21-26页 |
第二章 基于光交联剂的空穴传输层在QLEDs中的研究 | 第26-45页 |
2.1 引言 | 第26页 |
2.2 实验原料及设备 | 第26-28页 |
2.3 实验过程 | 第28-29页 |
2.3.1 BP-BP的合成 | 第28页 |
2.3.2 ZnO纳米颗粒的合成 | 第28-29页 |
2.3.3 ITO的清洗 | 第29页 |
2.3.4 QLEDs器件的制备 | 第29页 |
2.4 实验结果与讨论 | 第29-37页 |
2.4.1 BP-BP的红外表征 | 第29-30页 |
2.4.2 氧化锌纳米颗粒的表征 | 第30-32页 |
2.4.3 TFB和CdSe/ZnS薄膜表征 | 第32-37页 |
2.5 QLEDs器件表征与结果讨论 | 第37-41页 |
2.6 柔性器件的制备 | 第41-42页 |
2.7 本章小结 | 第42-43页 |
参考文献 | 第43-45页 |
第三章 不同溶剂对量子点成膜性的影响 | 第45-63页 |
3.1 引言 | 第45-46页 |
3.2 实验原料及设备 | 第46-47页 |
3.3 实验步骤 | 第47页 |
3.3.1 ITO、硅片的清洗 | 第47页 |
3.3.2 基于不同溶剂的量子点薄膜的制备 | 第47页 |
3.4 实验结果与讨论 | 第47-51页 |
3.4.1 TFB薄膜形貌分析 | 第47-48页 |
3.4.2 量子点薄膜表征 | 第48-51页 |
3.5 影响量子点成膜质量的因素 | 第51-60页 |
3.5.1 量子点表面张力的计算 | 第51-53页 |
3.5.2 条纹缺陷的产生 | 第53-57页 |
3.5.3 旋涂方式和环境温度对薄膜质量的影响 | 第57-58页 |
3.5.4 溶剂的溶解能力对薄膜质量的影响 | 第58-59页 |
3.5.6 基于不同烷烃制备的PbS量子点形貌分析 | 第59-60页 |
3.6 本章小结 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-63页 |
第四章 量子点薄膜质量对QLEDs器件效率的影响 | 第63-75页 |
4.1 引言 | 第63页 |
4.2 实验原料及设备 | 第63-64页 |
4.3 实验步骤 | 第64-65页 |
4.3.1 ITO的清洗 | 第64页 |
4.3.2 氧化锌的制备 | 第64页 |
4.3.3 器件的制备 | 第64-65页 |
4.4 实验结果与讨论 | 第65-72页 |
4.4.1 基于不同烷烃溶剂的QLEDs效率 | 第65-68页 |
4.4.2 不同TFB厚度对器件效率的影响 | 第68-70页 |
4.4.3 三基色器件的制备 | 第70-72页 |
4.5 本章小结 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-75页 |
第五章 全文总结与展望 | 第75-77页 |
5.1 全文总结 | 第75-76页 |
5.2 研究展望 | 第76-77页 |
公开发表的学术论文及参加的会议报告 | 第77-79页 |
期刊论文 | 第77页 |
参加的学术会议 | 第77-79页 |
致谢 | 第79页 |