| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 量子点的基本性质 | 第10-12页 |
| 1.3 量子点发光二极管(QLEDs)简介 | 第12-25页 |
| 1.3.1 QLEDs的发展背景 | 第12-14页 |
| 1.3.2 QLEDs的器件物理 | 第14-17页 |
| 1.3.3 QLEDs的发光机制 | 第17-18页 |
| 1.3.4 QLEDs的制备工艺 | 第18-23页 |
| 1.3.5 QLEDs的性能参数 | 第23-25页 |
| 1.4 本论文的研究目的和主要内容 | 第25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 QLEDs材料的制备和表征及倒置结构器件的工艺探索 | 第31-46页 |
| 2.1 实验部分 | 第31-34页 |
| 2.1.1 试验材料合成与溶液配制 | 第31-32页 |
| 2.1.2 器件的制备 | 第32-34页 |
| 2.1.3 测试与表征 | 第34页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第34-44页 |
| 2.2.1 光物理性质 | 第34-38页 |
| 2.2.2 TEM和HRTEM表征 | 第38-39页 |
| 2.2.3 薄膜形貌分析 | 第39-43页 |
| 2.2.4 器件性能 | 第43-44页 |
| 2.3 本章小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 基于导电聚合物掺杂发光层增强量子点发光二极管性能的研究 | 第46-72页 |
| 3.1 引言 | 第46-48页 |
| 3.2 实验部分 | 第48-51页 |
| 3.2.1 试验材料 | 第48-49页 |
| 3.2.2 器件的制备 | 第49-51页 |
| 3.2.3 测试与表征 | 第51页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第51-66页 |
| 3.3.1 器件能级对比与分析 | 第51-53页 |
| 3.3.2 单电子/单空穴器件分析 | 第53-57页 |
| 3.3.3 表面形貌分析 | 第57-61页 |
| 3.3.4 不同基底接触角分析 | 第61-62页 |
| 3.3.5 器件性能对比与分析 | 第62-66页 |
| 3.4 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 第四章 增强蓝光量子点发光二极管电荷注入及三基色柔性器件的制备 | 第72-85页 |
| 4.1 引言 | 第72-73页 |
| 4.2 实验部分 | 第73-77页 |
| 4.2.1 试验材料 | 第73-74页 |
| 4.2.2 器件的制备 | 第74-76页 |
| 4.2.3 测试与表征 | 第76-77页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第77-82页 |
| 4.3.1 能级分析 | 第77-78页 |
| 4.3.2 导电性分析 | 第78-79页 |
| 4.3.3 薄膜形貌分析 | 第79-80页 |
| 4.3.4 器件性能 | 第80-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第五章 全文总结和展望 | 第85-88页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论文 | 第88-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
