| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题研究的背景与意义 | 第11-14页 |
| 1.2 AlGaN基深紫外发光二极管(LED)的研究概况 | 第14-15页 |
| 1.3 AlGaN基深紫外LED研究面临的问题和挑战 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第2章 深紫外LED的研究基础 | 第18-31页 |
| 2.1 LED的工作原理及性能参数 | 第18-19页 |
| 2.2 Ⅲ族氮化物半导体材料的晶体结构与能带结构 | 第19-21页 |
| 2.3 载流子的注入特性 | 第21-22页 |
| 2.4 高温金属有机化合物化学气相沉积外延系统 | 第22-24页 |
| 2.5 材料物性的表征方法 | 第24-31页 |
| 第3章 调制锥形p型层对深紫外LED发光性质影响的研究 | 第31-39页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 调制锥形p型层对深紫外LED发光性质的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 调制锥形p型层影响深紫外LED的物理机制 | 第33-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 插入阱式阶梯状p型层对深紫外LED发光性质影响的研究 | 第39-47页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 插入阱式阶梯形p型层对深紫外LED发光性质的影响 | 第39-41页 |
| 4.3 插入阱式阶梯状p型层影响深紫外LED的物理机制 | 第41-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 V型末位量子垒(LQB)对深紫外LED发光性质影响的研究 | 第47-53页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 V型LQB对深紫外LED发光性质的影响 | 第47-49页 |
| 5.3 V型LQB影响深紫外LED的物理机制 | 第49-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
