| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.3 有机场效应晶体管的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4 有机场效应晶体管气体传感器 | 第13-15页 |
| 1.5 有机场效应晶体管存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.5.1 OFET存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.5.2 OFET在气体传感器应用中面临的问题 | 第16页 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 有机场效应晶体管的基础理论 | 第18-28页 |
| 2.1 有机场效应晶体管的基本结构 | 第18页 |
| 2.2 有机场效应晶体管材料的选择 | 第18-21页 |
| 2.2.1 介电层材料 | 第18-20页 |
| 2.2.2 有机半导体材料 | 第20-21页 |
| 2.2.3 电极材料 | 第21页 |
| 2.3 有机场效应晶体管的工作原理 | 第21-22页 |
| 2.4 有机场效应晶体管的性能表征 | 第22-25页 |
| 2.4.1 有机场效应晶体管的输出与转移特性曲线 | 第22-23页 |
| 2.4.2 有机场效应晶体管的基本性能参数 | 第23-25页 |
| 2.5 有机场效应晶体管的载流子传输机理 | 第25-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 有机场效应晶体管的制备与测试 | 第28-34页 |
| 3.1 基片的选择与清洗 | 第28-29页 |
| 3.1.1 氧化铟锡（ITO）玻璃基片的准备 | 第28页 |
| 3.1.2 ITO玻璃基片的清洗 | 第28-29页 |
| 3.2 介电层薄膜的制备 | 第29页 |
| 3.3 有源层的制备 | 第29-31页 |
| 3.4 源漏电极的制备 | 第31页 |
| 3.5 器件电学特性的测试 | 第31-32页 |
| 3.6 器件气敏特性的测试 | 第32-33页 |
| 3.7 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 PMMA/PS双层介电层的厚度优化 | 第34-42页 |
| 4.1 研究背景 | 第34-35页 |
| 4.2 器件设计与制备 | 第35-36页 |
| 4.3 PMMA/PS双介电层厚度变化对器件性能的影响 | 第36-41页 |
| 4.3.1 PS介电层厚度对器件性能的影响 | 第36-38页 |
| 4.3.2 PMMA介电层厚度对器件性能的影响 | 第38-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 有源层摩擦取向对PS有机场效应晶体管性能的影响 | 第42-50页 |
| 5.1 研究背景 | 第42-43页 |
| 5.2 器件设计与制备 | 第43-45页 |
| 5.3 不同取向对器件电学特性的影响 | 第45-46页 |
| 5.4 不同取向对器件气敏特性的影响 | 第46-49页 |
| 5.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 有源层摩擦取向对PMMA/PS有机场效应晶体管性能影响 | 第50-58页 |
| 6.1 器件设计与制备 | 第50页 |
| 6.2 不同取向对器件电学特性的影响 | 第50-52页 |
| 6.3 不同取向对器件气敏特性的影响 | 第52-56页 |
| 6.3.1 器件对二氧化氮的敏感特性测试 | 第52页 |
| 6.3.2 摩擦取向对并五苯薄膜生长的影响 | 第52-55页 |
| 6.3.3 敏感机理分析 | 第55-56页 |
| 6.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第58-60页 |
| 7.1 全文总结 | 第58-59页 |
| 7.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |
