| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 栅控功率器件过渡区的简介 | 第13-14页 |
| 1.4 本文的研究意义和主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 包含过渡区的栅控功率器件在感性负载下的关断失效 | 第15-32页 |
| 2.1 栅控功率器件的工作原理 | 第15-17页 |
| 2.2 栅控功率器件在感性负载下的开关特性 | 第17-21页 |
| 2.3 包含过渡区的栅控功率器件在感性负载下的关断特性 | 第21-26页 |
| 2.4 过渡区在感性负载下关断过程中的过载失效 | 第26-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 栅控功率器件的过渡区在过流关断过程中的失效机理 | 第32-48页 |
| 3.1 过渡区在过流关断过程中温升的瞬态分析 | 第32-38页 |
| 3.2 过渡区在过流关断过程中热力学模型的研究 | 第38-42页 |
| 3.3 过渡区在过流关断过程中的动态雪崩 | 第42-44页 |
| 3.4 过渡区在过流关断过程中的电和热相互间的影响 | 第44-47页 |
| 3.4.1 过流关断下的电致热效应 | 第44-45页 |
| 3.4.2 过流关断下的热对电学参数影响 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 栅控功率器件可靠性终端的研究 | 第48-59页 |
| 4.1 针对过渡区热应力过大的可靠性终端的简介 | 第48-49页 |
| 4.2 一款RC-IGBT可靠性终端结构的设计及仿真 | 第49-58页 |
| 4.2.1 RC-IGBT元胞的介绍及设计 | 第49-52页 |
| 4.2.1.1 RC-IGBT元胞的介绍 | 第49-50页 |
| 4.2.1.2 RC-IGBT元胞的设计 | 第50-52页 |
| 4.2.2 1200 V RC-IGBT可靠性终端的设计 | 第52-58页 |
| 4.2.2.1 终端背面Lp/Ln比率与元胞区相同 | 第52-55页 |
| 4.2.2.2 终端背面其它的制造方案 | 第55-58页 |
| 4.3 本章总结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结及展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59页 |
| 5.2 展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
