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全无机量子点发光二极管的制备及其性能研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第一章 绪论第8-12页
    1.1 前言第8-9页
    1.2 研究背景及进展第9-11页
    1.3 本论文研究意义及主要内容第11-12页
第二章 实验原理第12-30页
    2.1 量子点的简介第12-16页
        2.1.1 量子点的特性第13-15页
        2.1.2 量子点的应用第15-16页
    2.2 量子点发光二极管的简介第16-26页
        2.2.1 量子点 LED 的几种类型第18-22页
        2.2.2 量子点 LED 的工作原理第22-24页
        2.2.3 量子点 LED 的基本参数第24-26页
    2.3 全无机量子点发光二极管的制备方法第26-30页
        2.3.1 磁控溅射法第26-27页
        2.3.2 真空蒸镀法第27-28页
        2.3.3 化学气相沉积第28-29页
        2.3.4 溶胶-凝胶法第29-30页
第三章 实验过程及特性表征第30-40页
    3.1 实验试剂第30页
    3.2 实验仪器及测试仪器第30页
    3.3 全无机量子点 LED 的制备流程第30-33页
    3.4 电荷传输层性能表征手段第33-37页
        3.4.1 扫描电子显微镜(SEM)第33-34页
        3.4.2 透射电子显微镜(TEM)第34-35页
        3.4.3 原子力显微镜(AFM)第35页
        3.4.4 X 射线衍射(XRD)第35-36页
        3.4.5 紫外-可见吸收及透射光谱第36-37页
    3.5 器件的性能表征手段第37-40页
        3.5.1 I-V 特性测试第37页
        3.5.2 光致发光谱测试第37-39页
        3.5.3 电致发光谱测试第39-40页
第四章 结果讨论与分析第40-58页
    4.1 电荷传输层的性能分析第41-47页
        4.1.1 空穴传输层 NiO 薄膜的性能表征第41-44页
        4.1.2 量子点发光层的特性第44-46页
        4.1.3 电子传输层 ZnO 薄膜的性能表征第46-47页
    4.2 全无机量子点发光二极管光电特性分析第47-52页
        4.2.1 荧光波长 585 nm 的量子点作发光层的器件性能分析第48-49页
        4.2.2 荧光波长 605 nm 的量子点作发光层的器件性能分析第49-52页
    4.3 全无机量子点 LED 器件性能的优化第52-58页
        4.3.1 空穴注入层 MoO3的制备及性能测试第52-53页
        4.3.2 不同厚度 MoO3对器件 I-V 性能的影响第53-54页
        4.3.3 MoO3缓冲层的厚度对器件电致发光性能的影响第54-58页
第五章 结论与未来展望第58-59页
    5.1 结论第58页
    5.2 未来展望第58-59页
参考文献第59-64页
发表论文和参加科研情况第64-65页
致谢第65页

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