| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-10页 |
| 1.1.1 Flash 存储器的发展现状和应用需求 | 第7-8页 |
| 1.1.2 空间辐射环境中的辐射效应 | 第8-10页 |
| 1.2 总剂量效应研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 论文的主要工作及组织结构 | 第12-15页 |
| 第二章 总剂量效应分析 | 第15-25页 |
| 2.1 MOS 器件总剂量效应产生机理 | 第15-17页 |
| 2.1.1 氧化层陷阱电荷 | 第16-17页 |
| 2.1.2 界面态陷阱电荷 | 第17页 |
| 2.2 总剂量效应对 MOS 器件的影响 | 第17-21页 |
| 2.2.1 阈值电压漂移 | 第18-19页 |
| 2.2.2 辐射导致的漏电流 | 第19-20页 |
| 2.2.3 跨导退化 | 第20-21页 |
| 2.3 总剂量效应影响因素分析 | 第21-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 Flash 存储器总剂量敏感性研究 | 第25-41页 |
| 3.1 Flash 存储器工作原理和组成结构 | 第25-29页 |
| 3.1.1 浮栅单元工作原理和操作 | 第25-27页 |
| 3.1.2 Flash 存储器的架构 | 第27-29页 |
| 3.2 Flash 存储器内部各模块的总剂量敏感性分析 | 第29-38页 |
| 3.2.1 Flash 存储器的结构组成 | 第29-30页 |
| 3.2.2 Flash 的存储阵列及其总剂量敏感性分析 | 第30-32页 |
| 3.2.3 Flash 外围电路中电荷泵及其总剂量敏感性分析 | 第32-36页 |
| 3.2.4 Flash 外围电路其他部分的敏感性分析 | 第36-38页 |
| 3.3 AM29LV160D 存储器的辐射敏感性 | 第38-40页 |
| 3.3.1 AM29LV160D 芯片介绍 | 第38-39页 |
| 3.3.2 AM29LV160D 存储器的总剂量敏感性分析 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 Flash 存储器总剂量试验及结果分析 | 第41-57页 |
| 4.1 AM29LV160D 器件总剂量效应试验方案 | 第41-44页 |
| 4.1.1 试验偏置方案 | 第41-43页 |
| 4.1.2 剂量率和退火的选择 | 第43-44页 |
| 4.2 AM29LV160D 总剂量效应试验系统介绍 | 第44-50页 |
| 4.2.1 测试系统硬件介绍 | 第45-47页 |
| 4.2.2 测试系统软件介绍 | 第47-50页 |
| 4.3 AM29LV160D 器件总剂量效应试验程序 | 第50-51页 |
| 4.4 AM29LV160D 总剂量效应试验结果和分析 | 第51-55页 |
| 4.4.1 试验结果 | 第51-54页 |
| 4.4.2 结果讨论 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
