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开关电源电路设计及其高压功率器件研制

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第12-22页
    1.1 研究背景第12页
    1.2 相关技术发展现状第12-14页
    1.3 关键技术及其研究进展第14-19页
        1.3.1 高频变压技术第14-16页
        1.3.2 功效提升技术第16-17页
        1.3.3 器件耐压技术第17-19页
    1.4 论文工作和章节安排第19-22页
        1.4.1 主要研究内容第19-20页
        1.4.2 章节安排第20-22页
第二章 开关电源基本原理与电路结构第22-38页
    2.1 开关电源原理第22-23页
    2.2 基本电路结构第23-25页
        2.2.1 Buck电路第23-24页
        2.2.2 Boost电路第24-25页
        2.2.3 Buck-boost电路第25页
    2.3 开关调制方式第25-29页
        2.3.1 PWM脉冲宽度调制第26-27页
        2.3.2 PFM脉冲频率调制第27页
        2.3.3 PWM-PFM综合调制第27-28页
        2.3.4 PSM调制第28-29页
    2.4 高压器件耐压工艺第29-36页
        2.4.1 RESURF 技术第29-30页
        2.4.2 隔离技术第30-32页
        2.4.3 终端技术第32-36页
    2.5 本章小结第36-38页
第三章 LED驱动电源的开关电路设计第38-64页
    3.1 LED驱动电路类型与性能要求第38-40页
        3.1.1 驱动电路类型第38-39页
        3.1.2 驱动电源性能要求第39-40页
    3.2 电路设计与仿真建模第40-55页
        3.2.1 驱动电路设计第41-52页
        3.2.2 控制电路建模第52-55页
    3.3 电路仿真与结果分析第55-62页
        3.3.1 电路PSpice仿真第55-58页
        3.3.2 样品制作与性能测试第58-62页
    3.4 本章小结第62-64页
第四章 功率MOSFET器件的设计与仿真第64-92页
    4.1 功率MOSFET结构与原理第64-67页
        4.1.1 功率MOSFET介绍与分类第64-65页
        4.1.2 功率MOSFET结构与工作原理第65-67页
    4.2 LDMOS器件设计与仿真第67-80页
        4.2.1 LDMOS结构与工艺设计第67-75页
        4.2.2 LDMOS仿真结果分析第75-80页
    4.3 VDMOS器件设计与仿真第80-91页
        4.3.1 VDMOS结构与工艺设计第80-87页
        4.3.2 VDMOS仿真结果分析第87-91页
    4.4 本章小结第91-92页
第五章 高压IGBT器件的设计与仿真第92-106页
    5.1 IGBT结构与原理第92-96页
        5.1.1 IGBT器件结构第92-93页
        5.1.2 IGBT器件原理第93-96页
    5.2 IGBT器件设计与工艺设计第96-101页
        5.2.1 IGBT结构设计第96-98页
        5.2.2 IGBT参数优化第98-101页
    5.3 IGBT器件与工艺仿真结果第101-105页
        5.3.1 器件与工艺仿真第101-102页
        5.3.2 仿真结果分析第102-105页
    5.4 本章小结第105-106页
第六章 智能LED照明系统应用电路模块设计第106-120页
    6.1 系统设计要求第106-107页
        6.1.1 系统需求分析第106-107页
        6.1.2 系统总体结构第107页
    6.2 硬件电路方案设计第107-115页
        6.2.1 LED终端节点硬件设计第108-113页
        6.2.2 协调器硬件设计第113-115页
    6.3 产品原型开发与验证第115-118页
    6.4 本章小结第118-120页
第七章 总结与展望第120-124页
    7.1 工作总结第120-122页
    7.2 工作展望第122-124页
参考文献第124-131页
硕士期间取得的成果第131-132页
致谢第132-133页
附录第133-134页

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