| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 超辐射发光二极管概述 | 第13-16页 |
| 1.2.1 超辐射发光二极管简介 | 第13-14页 |
| 1.2.2 超辐射管的发光机理 | 第14-16页 |
| 1.3 超辐射发光二极管的主要特性 | 第16-18页 |
| 1.3.1 光谱特性 | 第16-17页 |
| 1.3.2 P-I特性 | 第17-18页 |
| 1.4 超辐射发光二极管的应用及研究进展 | 第18-23页 |
| 1.4.1 超辐射发光二极管的应用 | 第18-21页 |
| 1.4.2 超辐射发光二极管的研究进展 | 第21-23页 |
| 1.5 论文结构安排 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 半导体材料的外延生长技术和表征方法 | 第27-37页 |
| 2.1 半导体材料的外延生长技术 | 第27-29页 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第27-28页 |
| 2.1.2 分子束外延(MBE) | 第28-29页 |
| 2.2 半导体材料的表征方法 | 第29-34页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| 2.2.3 光致发光(PL) | 第31-32页 |
| 2.2.4 X射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
| 2.2.5 电化学CV(ECV) | 第33-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 超辐射发光二极管工艺研究 | 第37-50页 |
| 3.1 啁啾量子阱超辐射发光二极管的前期工艺 | 第37-45页 |
| 3.2 啁啾量子阱超辐射发光二极管的后期工艺 | 第45-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第四章 InP基啁啾量子阱超辐射发光二极管的制备与测试结果分析 | 第50-67页 |
| 4.1 InP基啁啾量子阱超辐射发光二极管的设计和制备 | 第51-58页 |
| 4.1.1 器件外延结构的设计及组分计算 | 第51-53页 |
| 4.1.2 器件波导结构的设计 | 第53-56页 |
| 4.1.3 器件的制备 | 第56-58页 |
| 4.2 InP基啁啾量子阱超辐射发光二极管测试及结果分析 | 第58-63页 |
| 4.2.1 P-I特性及光谱特性分析 | 第58-61页 |
| 4.2.2 波导参数对器件特性的影响 | 第61-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第五章 总结和展望 | 第67-69页 |
| 5.1 总结 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
