| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 论文结构安排 | 第12页 |
| 参考文献 | 第12-15页 |
| 第二章 1.55 μm GaAs基激光器以及微腔激光器的研究背景 | 第15-47页 |
| 2.1 半导体激光器基础理论 | 第15-24页 |
| 2.1.1 半导体激光器 | 第15-17页 |
| 2.1.2 异质结激光器 | 第17-24页 |
| 2.2 半导体激光器发展历程 | 第24-26页 |
| 2.3 InP/GaAs异变外延生长的研究进展 | 第26-27页 |
| 2.4 1.55 μm GaAs基半导体激光器研究进展 | 第27-31页 |
| 2.5 光学微腔研究现状 | 第31-36页 |
| 2.5.1 光学微腔的分类 | 第31-32页 |
| 2.5.2 回音壁模式微腔激光器研究背景 | 第32-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36页 |
| 参考文献 | 第36-47页 |
| 第三章 InP/GaAs异变外延材料的制备 | 第47-61页 |
| 3.1 外延材料的制备方法 | 第47-50页 |
| 3.2 外延材料的表征技术 | 第50-54页 |
| 3.2.1 X射线衍射 | 第50-51页 |
| 3.2.2 光致发光 | 第51-52页 |
| 3.2.3 原子力显微镜 | 第52-53页 |
| 3.2.4 电化学CV | 第53页 |
| 3.2.5 扫描电子显微镜 | 第53-54页 |
| 3.3 InP/GaAs异变外延生长 | 第54-58页 |
| 3.3.1 两步法和循环退火 | 第54-55页 |
| 3.3.2 InP/GaAs缓冲层 | 第55-57页 |
| 3.3.3 GaAs基InGaAsP条形激光器性能测试 | 第57-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第四章 1.55 μm GaAs基方形微腔激光器模式特性的研究 | 第61-79页 |
| 4.1 时域有限差分法 | 第61-66页 |
| 4.1.1 麦克斯韦方程 | 第61-63页 |
| 4.1.2 Yee氏网格及麦克斯韦差分方程 | 第63-65页 |
| 4.1.3 FDTD方法的Courant稳定性条件 | 第65页 |
| 4.1.4 PML吸收边界条件 | 第65-66页 |
| 4.2 正方形微腔模式的近似求解 | 第66-68页 |
| 4.2.1 正方形微腔本征方程 | 第66-68页 |
| 4.2.2 本征方程求解 | 第68页 |
| 4.3 1.55 μm GaAs基方形微腔激光器的结构设计 | 第68-70页 |
| 4.4 正方形微腔模式的仿真 | 第70-74页 |
| 4.5 1.55 μm GaAs基方形微腔激光器模式特性的研究 | 第74-78页 |
| 4.6 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 总结和展望 | 第79-81页 |
| 5.1 总结 | 第79-80页 |
| 5.2 展望 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第83页 |
