| 目录 | 第4-6页 |
| CONTENTS | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物研究发展 | 第12-14页 |
| 1.2 InGaN/GaN多量子阱的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 半导体发光特性的测量 | 第19-27页 |
| 2.1 半导体发光的基础理论 | 第19-23页 |
| 2.2 光致发光 | 第23-27页 |
| 2.2.1 光致发光测量装置及原理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 光致发光在半导体研究中的应用 | 第25-27页 |
| 第三章 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料的制备和性质 | 第27-43页 |
| 3.1 Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的制备 | 第27-32页 |
| 3.1.1 金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术 | 第28-30页 |
| 3.1.2 分子束外延(MBE)技术 | 第30-32页 |
| 3.2 Ⅲ-Ⅴ族氮化物基本性质 | 第32-38页 |
| 3.2.1 氮化物的晶体结构和能带特征 | 第32-34页 |
| 3.2.2 Ⅲ-Ⅴ族氮化物中的量子限制斯塔克效应 | 第34-38页 |
| 3.3 量子点的生长技术以及光学特性 | 第38-43页 |
| 3.3.1 量子点的生长模式 | 第39-41页 |
| 3.3.2 量子点的光学特性 | 第41-43页 |
| 第四章 量子效率的理论计算和试验方法 | 第43-47页 |
| 4.1 量子效率的定义 | 第43页 |
| 4.2 PL量子效率的理论计算方法 | 第43-44页 |
| 4.3 利用光谱手段测量量子效率的实验方法 | 第44-47页 |
| 4.3.1 PL内量子效率 | 第44-45页 |
| 4.3.2 EL外量子效率 | 第45-46页 |
| 4.3.3 EL注入效率 | 第46页 |
| 4.3.4 EL提取效率 | 第46-47页 |
| 第五章 InGaN/GaN多量子阱的光学特性 | 第47-60页 |
| 5.1 相分离的InGaN量子阱中载流子的遂穿和复合机制 | 第47-55页 |
| 5.1.1 样品的制备及测试条件 | 第47-48页 |
| 5.1.2 实验结果及分析 | 第48-55页 |
| 5.2 SiC和Al_2O_3衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱的光学特性的比较 | 第55-60页 |
| 5.2.1 样品的制备及测试条件 | 第55页 |
| 5.2.2 实验结果及分析 | 第55-60页 |
| 第六章 总结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第68页 |
