| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-35页 |
| 1.1 二维材料研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 二维材料的研究现状 | 第14-29页 |
| 1.2.1 TMDs的结构特性 | 第14-24页 |
| 1.2.2 TMDs的光学特性 | 第24-27页 |
| 1.2.3 TMDs的应用 | 第27-29页 |
| 1.3 课题研究目的及意义 | 第29-30页 |
| 1.4 研究方法 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第二章 原子层厚MoS_2的各向异性电子结构 | 第35-61页 |
| 2.1 电子能量损失谱与光吸收谱 | 第35-39页 |
| 2.1.1 跃迁矩阵元与跃迁强度 | 第35-37页 |
| 2.1.2 电子能量损失谱与光吸收谱的相似性 | 第37-39页 |
| 2.2 角分辨电子能量损失谱实验装置与电子散射几何 | 第39-43页 |
| 2.2.1 实验设置 | 第39-41页 |
| 2.2.2 角分辨能量损失谱中的电子散射几何 | 第41-43页 |
| 2.3 面内/面外各向异性能量损失谱 | 第43-51页 |
| 2.3.1 角分辨能量损失谱实验谱 | 第43-45页 |
| 2.3.2 面内/面外偏振分量的分离 | 第45-50页 |
| 2.3.3 各向异性和次带边激发的根源 | 第50-51页 |
| 2.4 二硫化钼的联合态密度维度分析及量子限域效应 | 第51-57页 |
| 2.4.1 联合态密度 | 第52-55页 |
| 2.4.2 量子限域效应 | 第55-57页 |
| 2.5 电子束辐照损伤对能量损失谱精细结构的影响 | 第57页 |
| 2.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第三章 单层二硫化钼中的原子缺陷 | 第61-93页 |
| 3.1 单层二硫化钼的制备 | 第61-69页 |
| 3.1.1 机械剥离法及透射电镜样品转移 | 第61-62页 |
| 3.1.2 化学气相沉积法及样品转移 | 第62-65页 |
| 3.1.3 物理气相沉积法 | 第65-67页 |
| 3.1.4 其他制备方法 | 第67-69页 |
| 3.2 单层二硫化钼的原子结构表征 | 第69-82页 |
| 3.2.1 CVD和机械剥离法MoS_2中的空位缺陷 | 第70-73页 |
| 3.2.2 物理气相沉积法(PvD)MoS_2中的反位缺陷 | 第73-78页 |
| 3.2.3 ME,CVD以及PVD样品的缺陷对比及能量学初步分析 | 第78-82页 |
| 3.3 不同制备方法得到的MoS_2的场效应晶体管输运特性 | 第82-85页 |
| 3.4 不同制备方法得到的MoS_2的光学特性 | 第85-87页 |
| 3.5 本章小结 | 第87页 |
| 附录 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 第四章 单层MoS_2中点缺陷的迁移 | 第93-127页 |
| 4.1 单层MoS_2中的吸附原子及其迁移 | 第93-114页 |
| 4.1.1 吸附原子构型 | 第93-98页 |
| 4.1.2 吸附原子的迁移路径 | 第98-101页 |
| 4.1.3 吸附原子迁移行为的随机性 | 第101-102页 |
| 4.1.4 吸附原子的跳跃步长统计 | 第102-105页 |
| 4.1.5 吸附构型稳定的杂化机理 | 第105-106页 |
| 4.1.6 电子束效应 | 第106-113页 |
| 4.1.7 Mo增原子的电子特性和磁结构 | 第113-114页 |
| 4.2 单层MoS_2中空位的迁移 | 第114-121页 |
| 4.2.1 Mo空位的迁移 | 第114-118页 |
| 4.2.2 Mo空位迁移的随机性 | 第118-119页 |
| 4.2.3 Mo空位迁移步长的统计分析 | 第119-120页 |
| 4.2.4 电子束效应 | 第120-121页 |
| 4.3 本章小结 | 第121页 |
| 附录 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 第五章 TMDs中的晶界结构及其演化 | 第127-139页 |
| 5.1 MoSe_2中的晶界 | 第127-131页 |
| 5.1.1 单层MoSe_2中的晶界结构 | 第127-130页 |
| 5.1.2 MoSe_2反向晶界的电子结构 | 第130-131页 |
| 5.2 MoS_2中的晶界及其演化 | 第131-136页 |
| 5.2.1 单层MoS_2中的晶界结构 | 第131-132页 |
| 5.2.2 单层MoS_2中晶界形成与演化 | 第132-136页 |
| 5.3 本章小结 | 第136页 |
| 参考文献 | 第136-139页 |
| 总结与展望 | 第139-143页 |
| 致谢 | 第143-145页 |
| 个人简历 | 第145-147页 |
| 攻读学位期间发表的论文和其他研究成果 | 第147页 |
