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铁基半导体氧化物的制备及其气敏性能研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-23页
    1.1 引言第11页
    1.2 半导体氧化物的研究进展第11-13页
        1.2.1 半导体氧化物的定义和分类第11页
        1.2.2 半导体氧化物的应用第11-13页
    1.3 气敏传感器的概述第13-16页
        1.3.1 气敏传感器的定义和分类第13页
        1.3.2 气敏传感器的性能指标第13-14页
        1.3.3 传统气敏材料的缺陷第14-15页
        1.3.4 气敏传感器的发展趋势第15-16页
    1.4 氧化铁气敏材料的研究现状第16-18页
        1.4.1 氧化铁的基本性质第16-17页
        1.4.2 氧化铁气敏材料的合成方法第17页
        1.4.3 氧化铁气敏材料的基本气敏机理第17-18页
    1.5 氧化铁气敏材料的改性第18-20页
        1.5.1 石墨烯掺杂改性第18-20页
        1.5.2 半导体氧化物复合第20页
    1.6 本论文研究的主要目的和内容第20-23页
        1.6.1 本论文研究的主要目的和意义第20-21页
        1.6.2 本论文研究的主要内容第21-23页
第2章 实验及表征方法第23-27页
    2.1 实验试剂第23页
    2.2 实验仪器第23-24页
    2.3 表征方法第24-27页
        2.3.1 X射线粉末衍射仪(XRD)第24页
        2.3.2 扫描电子显微镜-能谱仪(SEM-EDS)第24-25页
        2.3.3 透射电子显微镜(TEM)第25页
        2.3.4 NMDOG多功能精密传感器分析测试仪第25-27页
第3章 Fe_2O_3气敏材料的制备及其性能的研究第27-39页
    3.1 引言第27页
    3.2 实验部分第27-28页
        3.2.1 Fe_2O_3微球的制备方法第27-28页
        3.2.2 溶剂对制备的Fe_2O_3产物形貌的影响第28页
    3.3 结果与讨论第28-37页
        3.3.1 结构与形貌分析第28-31页
        3.3.2 气敏性能研究第31-36页
        3.3.3 气敏机理简述第36-37页
    3.4 本章小结第37-39页
第4章 rGO/Fe_2O_3气敏材料的制备及其性能的研究第39-51页
    4.1 引言第39页
    4.2 实验部分第39-40页
        4.2.1 GO的制备方法第39-40页
        4.2.2 rGO/Fe_2O_3气敏材料的制备第40页
    4.3 结果与讨论第40-49页
        4.3.1 组成和形貌分析第40-44页
        4.3.2 气敏性能研究第44-48页
        4.3.3 rGO/Fe_2O_3的气敏机理简述第48-49页
    4.4 本章小结第49-51页
第5章 CeO_2-Fe_2O_3气敏材料的制备及其性能的研究第51-61页
    5.1 引言第51页
    5.2 实验部分第51-52页
        5.2.1 CeO_2微球的制备方法第51-52页
        5.2.2 CeO_2-Fe_2O_3气敏材料的制备方法第52页
    5.3 结果与讨论第52-60页
        5.3.1 组成和形貌分析第52-55页
        5.3.2 气敏性能研究第55-59页
        5.3.3 CeO_2-Fe_2O_3的气敏机理简述第59-60页
    5.4 本章小结第60-61页
结论第61-63页
参考文献第63-71页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果第71-73页
致谢第73页

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