| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-24页 |
| 1.1 GaN材料的优势 | 第18-19页 |
| 1.2 太赫兹技术概述 | 第19-20页 |
| 1.3 太赫兹半导体器件概述 | 第20-21页 |
| 1.4 共振隧穿二级管的研究背景和面临的挑战 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文研究工作 | 第22-24页 |
| 第二章 GaN基共振隧穿二极管器件建模和特性分析 | 第24-32页 |
| 2.1 共振隧穿二极管机理 | 第24-27页 |
| 2.1.1 势阱中分立能级的形成 | 第24页 |
| 2.1.2 共振隧穿二极管的工作状态 | 第24-25页 |
| 2.1.3 共振隧穿二极管的性能影响因素 | 第25-27页 |
| 2.2 GaN基材料参数分析及极化效应 | 第27-30页 |
| 2.3 Silvaco器件建模过程 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 N面AlGaN/GaN共振隧穿二极管特性研究 | 第32-46页 |
| 3.1 N面GaN材料 | 第32页 |
| 3.2 N面共振隧穿二极管的结构 | 第32-33页 |
| 3.3 N面共振隧穿二极管的直流特性 | 第33-35页 |
| 3.4 势垒宽度对N面共振隧穿二极管直流特性的影响 | 第35-36页 |
| 3.5 势阱宽度对N面共振隧穿二极管直流特性的影响 | 第36-37页 |
| 3.6 欧姆接触区掺杂浓度对N面共振隧穿二极管直流特性的影响 | 第37-38页 |
| 3.7 Al组分对N面共振隧穿二极管直流特性的影响 | 第38-40页 |
| 3.8 隔离层厚度对N面共振隧穿二极管直流特性的影响 | 第40-41页 |
| 3.9 N面共振隧穿二极管的工艺设计 | 第41-43页 |
| 3.10 本章小结 | 第43-46页 |
| 第四章 不对称N面AlGaN/GaN共振隧穿二极管特性研究 | 第46-72页 |
| 4.1 外加偏压对N面共振隧穿二极管隧穿几率的影响 | 第46-48页 |
| 4.2 不对称势垒结构的N面共振隧穿二极管 | 第48-53页 |
| 4.3 不对称掺杂浓度的N面共振隧穿二极管 | 第53-59页 |
| 4.4 不对称Al组分的N面共振隧穿二极管 | 第59-64页 |
| 4.5 不对称隔离层厚度的N面共振隧穿二极管 | 第64-70页 |
| 4.6 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |
