| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 氧化镓的晶体结构和材料的光学和电学性质 | 第16-18页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 光学和电学性质 | 第17-18页 |
| 1.3 氧化镓材料的应用与研究进展 | 第18-21页 |
| 1.3.1 氧化镓材料的应用 | 第18-19页 |
| 1.3.2 Ga_2O_3材料与器件研究进展 | 第19-21页 |
| 1.4 氧化镓薄膜的制备方法 | 第21-22页 |
| 1.5 研究内容与结构安排 | 第22-24页 |
| 第二章 薄膜生长设备及测试方法 | 第24-32页 |
| 2.1 脉冲激光沉积系统 | 第24-28页 |
| 2.1.1 发展历程 | 第24-25页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积系统组成 | 第25-28页 |
| 2.1.3 PLD沉积薄膜的原理 | 第28页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第28-31页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第28-29页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第29-30页 |
| 2.2.3 光谱型椭圆偏振仪 | 第30-31页 |
| 2.2.4 紫外-可见分光光度计 | 第31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 蓝宝石衬底上锡掺杂氧化镓薄膜生长及其性质 | 第32-56页 |
| 3.1 外延生长掺杂氧化镓薄膜的工艺流程 | 第32-33页 |
| 3.2 基于 1% SnO_2含量氧化镓靶材的氧化镓薄膜生长 | 第33-42页 |
| 3.2.1 氧气分压对外延薄膜质量的影响 | 第33-39页 |
| 3.2.2 衬底变温对掺锡氧化镓薄膜质量的影响 | 第39-42页 |
| 3.3 基于 5% SnO_2含量氧化镓靶材的氧化镓薄膜生长 | 第42-49页 |
| 3.3.1 氧压对外延薄膜质量的影响 | 第42-46页 |
| 3.3.2 衬底温度对薄膜质量的影响 | 第46-49页 |
| 3.4 锡掺杂氧化镓薄膜的光电探测特性 | 第49-54页 |
| 3.4.1 引言 | 第49页 |
| 3.4.2 紫外探测器的制备 | 第49-50页 |
| 3.4.3 探测器的特性分析 | 第50-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 氧化镓同质外延生长及其性质 | 第56-68页 |
| 4.1 未掺杂氧化镓同质薄膜生长 | 第56-60页 |
| 4.1.1 实验部分 | 第56页 |
| 4.1.2 结果与讨论 | 第56-60页 |
| 4.2 锡掺杂氧化镓同质薄膜生长 | 第60-66页 |
| 4.2.1 实验部分 | 第61页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第61-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结和展望 | 第68-70页 |
| 5.1 全文总结 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |