| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 铁电材料简介 | 第11-15页 |
| 1.1.1 铁电体晶格结构 | 第11-13页 |
| 1.1.2 铁电材料的应用 | 第13-15页 |
| 1.2 BST 材料 | 第15-19页 |
| 1.2.1 组成与结构 | 第15-17页 |
| 1.2.2 应用热点 | 第17-19页 |
| 1.3 存在的问题及解决方法 | 第19-23页 |
| 1.3.1 引入掺杂，减小损耗与漏流 | 第19-21页 |
| 1.3.2 采用缓冲层，提高界面性能 | 第21-22页 |
| 1.3.3 优化制备工艺参数 | 第22-23页 |
| 1.4 本论文研究的内容及意义 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 薄膜材料的制备及工艺优化 | 第27-48页 |
| 2.1 BA_(0.5)SR_(0.5)TiO_3(BST)制备 | 第27-34页 |
| 2.1.1 BST 主要制备方法介绍 | 第27-30页 |
| 2.1.2 BST 靶材制备 | 第30-32页 |
| 2.1.3 BST 薄膜制备及优化 | 第32-34页 |
| 2.2 LANiO_3(LNO)制备 | 第34-42页 |
| 2.2.1 LaNiO_3简介 | 第34页 |
| 2.2.2 衬底未加热时溅射的LNO 薄膜 | 第34-39页 |
| 2.2.3 衬底加热时溅射的LNO 薄膜 | 第39-41页 |
| 2.2.4 衬底原位加热与后退火处理的对比 | 第41-42页 |
| 2.3 薄膜显微结构 | 第42-45页 |
| 2.3.1 XRD | 第42-43页 |
| 2.3.2 AFM | 第43-44页 |
| 2.3.3 界面SEM | 第44-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 平板电容器的制备及低频性能测试 | 第48-73页 |
| 3.1 微机电系统（MEMS）工艺流程介绍 | 第48-51页 |
| 3.2 平行板电容制备工艺步骤 | 第51-54页 |
| 3.3 测试原理及方法 | 第54-59页 |
| 3.3.1 主要参数 | 第54-55页 |
| 3.3.2 测试方法 | 第55-56页 |
| 3.3.3 测试结构 | 第56-59页 |
| 3.4 BST 厚度对电容介电性能的影响 | 第59-68页 |
| 3.4.1 C-V 和tanδ-V 特性 | 第59-64页 |
| 3.4.2 C-f 和tan-f 特性 | 第64-66页 |
| 3.4.3 P-E 特性 | 第66页 |
| 3.4.4 I-V 特性 | 第66-68页 |
| 3.5 LNO 厚度对电容介电性能的影响 | 第68-70页 |
| 3.5.1 C-V 和tanδ-V 特性 | 第68-69页 |
| 3.5.2 介电可调率与K 值 | 第69-70页 |
| 3.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第四章 共面波导测试结构制备及性能测试 | 第73-83页 |
| 4.1 共面波导（CPW） | 第73-74页 |
| 4.2 测试原理 | 第74-77页 |
| 4.3 制备工艺流程 | 第77-79页 |
| 4.4 测试结果分析 | 第79-81页 |
| 4.5 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读学位期间录用、发表和投稿的学术论文目录 | 第85页 |