| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 SOI 技术发展概述 | 第7-9页 |
| 1.2 RESURF SOI-LDMOS 发展概述 | 第9-10页 |
| 1.3 RF SOI-LDMOS 发展现状 | 第10-12页 |
| 1.4 SOI-LDMOS 在移动通信电路中的应用 | 第12-13页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 SOI-LDMOS 参数建模计算 | 第14-27页 |
| 2.1 沟道区设计 | 第14-15页 |
| 2.2 氧化埋层厚度设计 | 第15-16页 |
| 2.3 漂移区基本参数设计 | 第16-19页 |
| 2.4 场极板设计 | 第19-22页 |
| 2.5 高压SOI-LDMOS 导通电阻模型 | 第22-26页 |
| 2.6 计算结果 | 第26-27页 |
| 第三章 器件参数模拟优化及工艺流程 | 第27-38页 |
| 3.1 SOI-LDMOS 工艺流程 | 第27页 |
| 3.2 SOI-LDMOS 漂移区参数模拟优化 | 第27-31页 |
| 3.3 埋氧层模拟优化 | 第31-32页 |
| 3.4 沟道区模拟优化 | 第32-34页 |
| 3.5 场极板优化 | 第34-36页 |
| 3.6 最终模拟优化结果 | 第36-38页 |
| 第四章 器件特性分析 | 第38-53页 |
| 4.1 直流特性 | 第38-41页 |
| 4.2 C-V 特性曲线 | 第41-45页 |
| 4.3 截止频率F_T | 第45-46页 |
| 4.4 失效机理分析 | 第46-50页 |
| 4.5 SOI-LDMOS 的参数提取 | 第50-53页 |
| 总结及展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 硕士期间取得的成果 | 第59页 |