| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 GaAs PCSS的发展历史 | 第8-9页 |
| 1.3 GaAs PCSS的工作原理及工作模式 | 第9-11页 |
| 1.3.1 GaAs PCSS的工作原理 | 第9-10页 |
| 1.3.2 GaAs PCSS的两种工作模式 | 第10-11页 |
| 1.4 猝灭高倍增GaAs PCSS的研究意义 | 第11-12页 |
| 1.5 猝灭高倍增GaAs PCSS的研究状况 | 第12-14页 |
| 1.5.1 国外研究状况 | 第12-14页 |
| 1.5.2 国内研究状况 | 第14页 |
| 1.6 本论文主要工作 | 第14-16页 |
| 2 畴猝灭理论 | 第16-28页 |
| 2.1 GaAs材料及其电场特性 | 第16-19页 |
| 2.1.1 GaAs材料的能带结构 | 第16-17页 |
| 2.1.2 负微分电导率 | 第17-18页 |
| 2.1.3 GaAs材料的载流子漂移速度-电场特性 | 第18-19页 |
| 2.2 耿氏偶极畴的一般理论和猝灭模式 | 第19-22页 |
| 2.2.1 n-GaAs器件中的畴理论 | 第19-21页 |
| 2.2.2 偶极畴猝灭模式 | 第21-22页 |
| 2.3 光激发电荷畴模型 | 第22-24页 |
| 2.3.1 光激发电荷畴的形成条件 | 第22页 |
| 2.3.2 雪崩发光畴 | 第22-24页 |
| 2.4 猝灭畴模式及相关实验研究 | 第24-25页 |
| 2.4.1 猝灭畴模式 | 第24-25页 |
| 2.4.2 动态分压控制的双层GaAs PCSS | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-28页 |
| 3 双光束延时触发高倍增GaAs PCSS的设计与实验 | 第28-38页 |
| 3.1 双光束延时触发GaAs PCSS猝灭光激发电荷畴的可行性分析 | 第28-29页 |
| 3.2 GaAs PCSS及测试电路 | 第29-31页 |
| 3.2.1 GaAs PCSS的设计 | 第29-30页 |
| 3.2.2 GaAs PCSS测试电路 | 第30-31页 |
| 3.3 双光束延时触发光路平台 | 第31-34页 |
| 3.3.1 双光束延时触发光学系统 | 第31-32页 |
| 3.3.2 双光束延迟时间的控制 | 第32-34页 |
| 3.4 触发光脉冲的基本测量 | 第34-37页 |
| 3.4.1 触发光能阈值 | 第34-35页 |
| 3.4.2 触发光能测量 | 第35-36页 |
| 3.4.3 触发光位置选择 | 第36页 |
| 3.4.4 光生载流子浓度 | 第36-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 双光束延时触发对GaAs PCSS高倍增模式载流子输运的影响 | 第38-52页 |
| 4.1 双光束延时触发时间差对GaAs PCSS高倍增持续电流关断程度的影响 | 第38-41页 |
| 4.2 双光束延时触发对高倍增GaAs PCSS关断程度影响的分析 | 第41-46页 |
| 4.2.1 光生载流子的输运 | 第41-45页 |
| 4.2.2 高倍增持续状态的关断程度Q随着双光束延迟时间t的变化规律 | 第45-46页 |
| 4.3 输出电脉冲上升沿半高宽处的电流振荡分析 | 第46-47页 |
| 4.4 储能电容对高倍增GaAs PCSS关断程度的影响 | 第47-49页 |
| 4.5 触发光位置对高倍增GaAs PCSS关断程度的影响 | 第49-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 全文总结 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 附录 | 第60页 |
