| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第8页 |
| 1.2 半导体加工方法 | 第8-10页 |
| 1.2.1 外圆切割 | 第8-9页 |
| 1.2.2 内圆切割 | 第9页 |
| 1.2.3 线锯切割 | 第9-10页 |
| 1.2.4 激光切割 | 第10页 |
| 1.3 电火花线切割 | 第10-13页 |
| 1.3.1 电火花加工技术 | 第10-11页 |
| 1.3.2 半导体材料电火花线切割 | 第11-13页 |
| 1.4 工艺优化建模方法与多目标智能算法 | 第13-14页 |
| 1.4.1 响应曲面法 | 第13页 |
| 1.4.2 多目标智能算法 | 第13-14页 |
| 1.5 本课题研究内容 | 第14-16页 |
| 2 电火花线切割单因素实验设计与分析 | 第16-26页 |
| 2.1 实验设备与材料 | 第16-19页 |
| 2.1.1 加工设备 | 第16-17页 |
| 2.1.2 检测设备 | 第17-18页 |
| 2.1.3 材料 | 第18-19页 |
| 2.2 单因素实验及分析 | 第19-25页 |
| 2.2.1 电压对切削效率与表面粗糙度的影响 | 第19-20页 |
| 2.2.2 脉宽对切削效率与表面粗糙度的影响 | 第20-22页 |
| 2.2.3 脉间对切削效率及表面粗糙度的影响 | 第22-23页 |
| 2.2.4 线速度对切削效率及表面粗糙度的影响 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 基于RSM模型工艺目标的优化 | 第26-40页 |
| 3.1 RSM工艺优化数学模型 | 第26-28页 |
| 3.2 基于RSM模型切削效率的优化 | 第28-33页 |
| 3.2.1 RSM模型四因素三水实验设计 | 第28-29页 |
| 3.2.2 BBD实验设计 | 第29-30页 |
| 3.2.3 关于切削效率RSM模型的方差分析 | 第30-33页 |
| 3.3 基于RSM模型表面粗糙度的优化 | 第33-36页 |
| 3.3.1 关于表面粗糙度RSM模型的方差分析 | 第33-35页 |
| 3.3.2 输入过程参数对表面粗糙度的影响 | 第35-36页 |
| 3.4 RSM寻优效果的验证 | 第36-37页 |
| 3.5 硅片表面质量分析 | 第37-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 4 基于NSGA-II的单晶硅电火花线切割多目标优化 | 第40-52页 |
| 4.1 多目标优化的数学实质 | 第40-42页 |
| 4.2 NSGA-II的数学实质 | 第42-46页 |
| 4.2.1 NSGA-II非支配解的形成 | 第42-43页 |
| 4.2.2 NSGA-II分散与多样化解集的获得 | 第43-44页 |
| 4.2.3 NSGA-II的运算流程 | 第44-46页 |
| 4.3 电火花线切割单晶硅的建模及求解 | 第46-51页 |
| 4.3.1 电火花线切割单晶硅多目标函数的建立 | 第47页 |
| 4.3.2 目标函数的Pareto非支配前沿解 | 第47-49页 |
| 4.3.3 Pareto非支配前沿解的实验验证及分析 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 基于SPEA-II的电火花线切割单晶硅多目标工艺优化 | 第52-60页 |
| 5.1 SPEA-II的主要流程 | 第52-54页 |
| 5.2 基于SPEA- II的电火花线切割单晶硅多目标求解 | 第54-57页 |
| 5.2.1 电火花线切割单晶硅目标函数的建立 | 第54-55页 |
| 5.2.2 目标函数的优化 | 第55-57页 |
| 5.3 目标函数对于SPEA-II与NSGA-II的测试性能对比 | 第57-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 6 结论与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 主要结论 | 第60-61页 |
| 6.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文及参与项目 | 第68页 |
| 参与项目 | 第68页 |
| 发表论文 | 第68页 |
