摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-28页 |
1.1 硼及含硼化合物概述 | 第12页 |
1.2 晶须的特性及分类 | 第12-14页 |
1.2.1 晶须的定义及特点 | 第12-13页 |
1.2.2 晶须的分类 | 第13-14页 |
1.3 硼酸镁晶须材料概述 | 第14-18页 |
1.3.1 硼酸镁晶须的性质及特点 | 第14页 |
1.3.2 硼酸镁晶须的制备方法研究进展 | 第14-17页 |
1.3.3 硼酸镁晶须的应用 | 第17-18页 |
1.4 硼酸铝晶须材料概述 | 第18-21页 |
1.4.1 硼酸铝晶须的性质和特点 | 第18页 |
1.4.2 硼酸铝晶须的制备方法研究进展 | 第18-20页 |
1.4.3 硼酸铝晶须的应用 | 第20-21页 |
1.5 中子辐射屏蔽材料概述 | 第21-25页 |
1.5.1 中子的产生及其辐射危害 | 第21-23页 |
1.5.2 中子屏蔽材料发展概况 | 第23页 |
1.5.3 常见含硼类中子屏蔽材料 | 第23-25页 |
1.6 本课题的目的、意义及内容 | 第25-28页 |
1.6.1 本课题的目的和意义 | 第25页 |
1.6.2 本文研究的主要内容 | 第25-28页 |
第2章 高温熔盐法制备硼酸镁晶须研究 | 第28-40页 |
2.1 引言 | 第28页 |
2.2 实验部分 | 第28-30页 |
2.2.1 实验药品及设备 | 第28-29页 |
2.2.2 实验工艺及制备过程 | 第29页 |
2.2.3 产物的表征 | 第29-30页 |
2.3 结果与讨论 | 第30-38页 |
2.3.1 烧结温度的影响 | 第30-32页 |
2.3.2 烧结时间的影响 | 第32-34页 |
2.3.3 n(B)/n(Mg)的影响 | 第34-37页 |
2.3.4 助熔剂的影响 | 第37-38页 |
2.4 Mg_2B_2O_5晶须的生长过程分析探讨 | 第38-39页 |
2.5 本章小结 | 第39-40页 |
第3章 草酸盐前驱体法制备硼酸镁晶须和硼酸铝晶须研究 | 第40-70页 |
3.1 引言 | 第40页 |
3.2 实验部分 | 第40-42页 |
3.2.1 实验药品及设备 | 第40-41页 |
3.2.2 实验工艺及制备过程 | 第41-42页 |
3.2.3 产物的表征 | 第42页 |
3.3 硼酸镁晶须的制备研究 | 第42-57页 |
3.3.1 烧结温度的影响 | 第43-47页 |
3.3.2 烧结时间的影响 | 第47-50页 |
3.3.3 n(B)/n(Mg)的影响 | 第50-52页 |
3.3.4 n(H_2C_2O_4)/n(Mg)的影响 | 第52-54页 |
3.3.5 硼酸镁晶须的生长过程分析探讨 | 第54-56页 |
3.3.6 草酸盐前驱体法与高温熔盐法对比 | 第56-57页 |
3.4 硼酸铝晶须(Al_4B_2O_9)的制备研究 | 第57-69页 |
3.4.1 烧结温度的影响 | 第57-61页 |
3.4.2 烧结时间的影响 | 第61-63页 |
3.4.3 n(B)/n(Al)的影响 | 第63-65页 |
3.4.4 n(H_2C_2O_4)/n(Al)的影响 | 第65-67页 |
3.4.5 Al_4B_2O_9晶须的生长过程分析探讨 | 第67-69页 |
3.5 本章小结 | 第69-70页 |
第4章 硼酸盐晶须/高分子复合材料的中子屏蔽性能研究 | 第70-84页 |
4.1 引言 | 第70页 |
4.2 实验部分 | 第70-74页 |
4.2.1 实验原料和仪器 | 第70-71页 |
4.2.2 实验工艺及制备方法 | 第71-72页 |
4.2.3 性能表征 | 第72-74页 |
4.3 结果与讨论 | 第74-82页 |
4.3.1 硼酸盐晶须添加量对热中子屏蔽性能的影响 | 第74-77页 |
4.3.2 基体材料对热中子屏蔽性能的影响 | 第77-79页 |
4.3.3 厚度对热中子屏蔽性能的影响 | 第79-80页 |
4.3.4 硼酸盐晶须/B_4C/聚乙烯共混体系的热中子屏蔽性能 | 第80-82页 |
4.4 本章小结 | 第82-84页 |
第5章 结论 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-92页 |
致谢 | 第92-94页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第94页 |