| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 GaAs/Si异变外延难点 | 第11-15页 |
| 1.3 GaAs/Si异变外延进展 | 第15-17页 |
| 1.4 论文创新点 | 第17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 实验技术及设备简介 | 第20-28页 |
| 2.1 生长方法 | 第20-23页 |
| 2.2 表征方法 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第三章 GaAs/Si异变外延两步法生长 | 第28-42页 |
| 3.1 引言 | 第28-31页 |
| 3.2 衬底处理 | 第31-32页 |
| 3.3 高温层优化 | 第32-33页 |
| 3.4 低温缓冲层优化 | 第33-39页 |
| 3.4.1 低温缓冲层温度优化 | 第33-34页 |
| 3.4.2 低温缓冲层厚度优化 | 第34-35页 |
| 3.4.3 低温缓冲层材料优化 | 第35-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 第四章 GaAs/Si异变外延三步法生长 | 第42-54页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 三步法生长 | 第43-44页 |
| 4.3 插入循环退火 | 第44-48页 |
| 4.4 插入超晶格 | 第48-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第五章 引入量子点位错阻挡层的GaAs/Si异变外延生长 | 第54-72页 |
| 5.1 背景 | 第54-56页 |
| 5.2 Si基量子点生长 | 第56-65页 |
| 5.2.1 Si基单层量子点生长 | 第57-59页 |
| 5.2.2 Si基多层量子点生长 | 第59-63页 |
| 5.2.3 与GaAs基量子点对比 | 第63-65页 |
| 5.3 以量子点为位错阻挡层的GaAs/Si异变外延生长 | 第65-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第76页 |