| 致谢 | 第2-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 1 引言 | 第12-16页 |
| 1.1 SOC设计方法 | 第12-13页 |
| 1.2 Mass-Storage控制芯片 | 第13-14页 |
| 1.3 本文研究目标 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的内容安排 | 第15-16页 |
| 2 Mass Storage SOC设计技术 | 第16-55页 |
| 2.1 概述 | 第16-22页 |
| 2.2 SOC设计流程 | 第22-25页 |
| 2.3 IP核的设计和可重用技术 | 第25-36页 |
| 2.3.1 SOC设计中的IP核设计 | 第25-27页 |
| 2.3.2 IP核可重用的基本原则 | 第27-32页 |
| 2.3.3 IP核开发流程 | 第32-36页 |
| 2.4 Mass-Storage控制芯片软硬件协同设计平台的建立 | 第36-53页 |
| 2.4.1 软硬件协同技术 | 第36-38页 |
| 2.4.2 Mass-Storage控制芯片SOC设计平台的建立 | 第38-53页 |
| 2.4.3 基于平台设计的并行版本管理 | 第53页 |
| 2.5 SOC的测试技术 | 第53-55页 |
| 3 硬件主要IP核模块的设计 | 第55-112页 |
| 3.1 嵌入式RISC CPU IP核的设计 | 第55-67页 |
| 3.1.1 概述 | 第55-56页 |
| 3.1.2 RISC的体系结构设计 | 第56-57页 |
| 3.1.3 RISC CPU的指令系统设计 | 第57-59页 |
| 3.1.4 RISC CPU的存储器结构 | 第59-60页 |
| 3.1.5 单时钟周期RISC CPU IP核设计技术 | 第60-64页 |
| 3.1.6 可下载Firmware的RISC CPU架构 | 第64-67页 |
| 3.2 ECC算法分析及实现 | 第67-89页 |
| 3.2.1 概述 | 第67-69页 |
| 3.2.2 BCH算法 | 第69-81页 |
| 3.2.3 Reed-Solomon算法 | 第81-89页 |
| 3.3 SD标准协议模块的实现 | 第89-107页 |
| 3.3.1 SD卡的协议标准概述 | 第89-90页 |
| 3.3.2 总线拓扑 | 第90-92页 |
| 3.3.3 总线协议 | 第92-100页 |
| 3.3.4 SD模式的时序 | 第100-103页 |
| 3.3.5 SD接口IP模块的实现 | 第103-107页 |
| 3.4 FLASH直接存储器访问IP模块研究 | 第107-112页 |
| 3.4.1 FLASH直接存储器访问IP模块的实现 | 第107-108页 |
| 3.4.2 FLASH直接存储器访问模块设计结果 | 第108-112页 |
| 4 Mass-Storage SOC芯片的Firmware设计 | 第112-118页 |
| 4.1 Boot ROM的程序设计 | 第112-114页 |
| 4.2 Firmware的编译及仿真技术 | 第114-118页 |
| 4.2.1 Firmware的编译 | 第114-116页 |
| 4.2.2 Firmware的仿真 | 第116-118页 |
| 5 芯片生产测试基准(testbench)设计 | 第118-126页 |
| 5.1 测试基准的设计流程 | 第118-121页 |
| 5.2 Mass-Storage SOC芯片测试基准的具体实现 | 第121-126页 |
| 5.2.1 Mass-Storage SOC芯片管脚 | 第121-122页 |
| 5.2.2 仿真测试向量的生成 | 第122-123页 |
| 5.2.3 测试基准的生成 | 第123-124页 |
| 5.2.4 测试基准文件的验证 | 第124-126页 |
| 6 Mass-Storage SOC芯片测试结果 | 第126-138页 |
| 6.1 芯片的直流特性 | 第126-128页 |
| 6.1.1 最大值范围(Absolute Maximum Ratings) | 第126页 |
| 6.1.2 推荐工作条件(Recommended Operating Conditions) | 第126-127页 |
| 6.1.3 漏电流和电容(Leakage Current and Capacitance) | 第127页 |
| 6.1.4 2.5V可编程I／O单元的直流特性 | 第127-128页 |
| 6.2 芯片的交流特性 | 第128-132页 |
| 6.2.1 SD卡接口信号交流特性 | 第128页 |
| 6.2.2 FLASH存储器接口信号交流特性 | 第128-132页 |
| 6.3 芯片的读、写特性 | 第132-135页 |
| 6.3.1 SD卡的突发存取速度 | 第133页 |
| 6.3.2 SD卡的连续读写速度测试 | 第133-135页 |
| 6.4 芯片版图和封装图 | 第135-138页 |
| 6.4.1 芯片版图 | 第135-137页 |
| 6.4.2 芯片封装图 | 第137-138页 |
| 7 结论 | 第138-140页 |
| 7.1 本文研究的成果 | 第138-139页 |
| 7.2 论文的改进方向 | 第139-140页 |
| 参考文献 | 第140-147页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第147页 |
