| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 问题的提出 | 第7-10页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第7-8页 |
| 1.1.2 问题的提出 | 第8-10页 |
| 1.2 研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 Ford 8D和半导体可靠性的介绍和应用现状 | 第11-27页 |
| 2.1 Ford 8D方法的介绍 | 第11-18页 |
| 2.2 半导体产品可靠性测试的介绍 | 第18-25页 |
| 2.3 引入Ford 8D方法的必要性 | 第25-27页 |
| 第三章 应用Ford 8D方法后的新分析流程 | 第27-33页 |
| 3.1 新分析流程的方案简介 | 第27-29页 |
| 3.2 新分析流程图及其优势 | 第29-33页 |
| 第四章S半导体公司应用新的Ford 8D反应机制示例 | 第33-47页 |
| 4.1 新方案测试 | 第33页 |
| 4.2 应对过程记录以及分析结果的认定 | 第33-45页 |
| 4.3 新方案的优势 | 第45-47页 |
| 第五章 结论与不足 | 第47-49页 |
| 5.1 结论 | 第47页 |
| 5.2 本文的不足 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |