| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-42页 |
| 第一节 组装金纳米粒子单层膜及对其形貌的调控 | 第13-21页 |
| 1.1.1 金粒子在油/水界面组装 | 第13-18页 |
| 1.1.1.1 油/水界面法组装金粒子单层膜原理 | 第14-15页 |
| 1.1.1.2 影响粒子界面组装的因素 | 第15-18页 |
| 1.1.2 聚合物对金粒子运动行为的影响 | 第18-21页 |
| 1.1.2.1 金纳米粒子与聚合物的复合 | 第18-20页 |
| 1.1.2.2 聚合物对金粒子光学性质的影响 | 第20-21页 |
| 第二节 图案化石墨烯的构筑 | 第21-33页 |
| 1.2.1 石墨烯发展概况 | 第21-25页 |
| 1.2.1.1 胶体刻蚀技术 | 第21-22页 |
| 1.2.1.2 转移印刷技术 | 第22-23页 |
| 1.2.1.3 图案化基底诱导图案化石墨烯 | 第23页 |
| 1.2.1.4 直接书写技术构筑图案化石墨烯 | 第23-25页 |
| 1.2.2 石墨烯量子点 | 第25-33页 |
| 1.2.2.1 电子束刻蚀法制备GQD | 第25页 |
| 1.2.2.2 胶体刻蚀法 | 第25页 |
| 1.2.2.3 以嵌段共聚物的分相结构为模板构筑GQD阵列 | 第25页 |
| 1.2.2.4 GQD的性质 | 第25-29页 |
| 1.2.2.5 石墨烯量子点的应用前景 | 第29-33页 |
| 第三节 石墨烯褶皱 | 第33-40页 |
| 1.3.1 褶皱的形成 | 第33-35页 |
| 1.3.1.1 制备过程中形成的褶皱 | 第33-34页 |
| 1.3.1.2 石墨烯转移过程形成褶皱 | 第34-35页 |
| 1.3.2 控制褶皱的形成 | 第35-36页 |
| 1.3.2.1 图案基底诱导褶皱的形成 | 第35页 |
| 1.3.2.2 拉伸法诱导石墨烯褶皱 | 第35-36页 |
| 1.3.3 褶皱对石墨烯性质的影响 | 第36-40页 |
| 1.3.3.1 褶皱对电子结构的影响 | 第36-37页 |
| 1.3.3.2 褶皱的表面性质 | 第37-38页 |
| 1.3.3.3 褶皱石墨烯的能量储备 | 第38-39页 |
| 1.3.3.4 褶皱石墨烯的化学活性 | 第39-40页 |
| 第四节 本论文的选题及设计思路 | 第40-42页 |
| 第二章 金纳米粒子形貌的调控 | 第42-56页 |
| 第一节 引言 | 第42-43页 |
| 第二节 实验部分 | 第43-45页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第43页 |
| 2.2.2 金溶胶的制备 | 第43页 |
| 2.2.3 金纳米粒子单层膜的制备 | 第43-44页 |
| 2.2.4 聚合物辅助加热调控粒子形貌 | 第44页 |
| 2.2.5 金膜上图案的构筑 | 第44页 |
| 2.2.6 仪器设备 | 第44-45页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第45-55页 |
| 2.3.1 油/水界面组装金纳米粒子单层膜 | 第45-46页 |
| 2.3.2 聚合物辅助加热法调控金粒子形貌 | 第46-49页 |
| 2.3.3 三种样品在梯度加热的条件下的金粒子形貌的变化过程 | 第49页 |
| 2.3.4 样品在不同温度下其相应光谱的分析 | 第49-52页 |
| 2.3.5 图案化金粒子单层膜的制备 | 第52-55页 |
| 第四节 本章小结 | 第55-56页 |
| 第三章 石墨烯量子点阵列的构筑以及对其带隙的调控 | 第56-69页 |
| 第一节 引言 | 第56-57页 |
| 第二节 实验部分 | 第57-58页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第57页 |
| 3.2.2 金纳米粒子溶液的制备 | 第57页 |
| 3.2.3 金纳米粒子单层膜的制备 | 第57-58页 |
| 3.2.4 GQD的制备 | 第58页 |
| 3.2.5 GQD的还原 | 第58页 |
| 3.2.7 仪器设备 | 第58页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第58-67页 |
| 3.3.1 GQD的制备 | 第58-62页 |
| 3.3.2 GQD阵列的瞬态激发光谱分析 | 第62-65页 |
| 3.3.3 调控较大GQD阵列的带隙大小 | 第65-67页 |
| 第四节 本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 硅柱阵列诱导石墨烯褶皱并通过调控褶皱对石墨烯进行改性 | 第69-85页 |
| 第一节 引言 | 第69-70页 |
| 第二节 实验部分 | 第70-72页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第70页 |
| 4.2.2 金纳米粒子溶液的制备 | 第70页 |
| 4.2.3 金纳米粒子单层膜的制备 | 第70-71页 |
| 4.2.4 硅纳米柱阵列的制备 | 第71页 |
| 4.2.5 石墨烯转移到硅柱阵列上 | 第71页 |
| 4.2.6 仪器设备 | 第71-72页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第72-83页 |
| 4.3.1 硅纳米柱阵列诱导石墨烯褶皱 | 第72-76页 |
| 4.3.1.1 硅纳米柱阵列的构筑 | 第72-73页 |
| 4.3.1.2 转移石墨烯到硅柱阵列上 | 第73-74页 |
| 4.3.1.3 加热诱导石墨烯褶皱 | 第74-75页 |
| 4.3.1.4 拉曼光谱分析褶皱的形成 | 第75-76页 |
| 4.3.2 硅柱阵列上石墨烯的接触角测试 | 第76-79页 |
| 4.3.3 测试硅柱阵列上石墨烯的导电性 | 第79-82页 |
| 4.3.4 测试石墨烯的透过率 | 第82-83页 |
| 第四节 本章小结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-99页 |
| 作者简历 | 第99-100页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
