| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 传统MOS器件的发展及存在的问题 | 第10页 |
| 1.2 SOI MOSFET简介 | 第10-12页 |
| 1.3 SOI MOSFET的研究意义 | 第12-13页 |
| 1.4 SOI MOSFET的研究现状和应用 | 第13-16页 |
| 1.5 各章节内容介绍 | 第16-18页 |
| 第2章 SOI MOSFET模型的研究方法 | 第18-28页 |
| 2.1 SOI MOSFET的传统模型 | 第18-23页 |
| 2.1.1 抛物线近似模型 | 第18-21页 |
| 2.1.2 准二维模型 | 第21-23页 |
| 2.1.3 传统模型的优缺点 | 第23页 |
| 2.2 二维半解析SOI MOSFET模型 | 第23-27页 |
| 2.2.1 半解析法的理论依据 | 第23-24页 |
| 2.2.2 模型的建立及其边界条件确定 | 第24-27页 |
| 2.2.3 衔接条件的确立 | 第27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 基于半解析法的全耗尽SOI MOSFET模型的解析 | 第28-37页 |
| 3.1 Ⅰ区电势Laplace方程的求解 | 第28-30页 |
| 3.2 Ⅱ区电势Possion方程的求解 | 第30-32页 |
| 3.3 Ⅲ区电势Laplace方程的求解 | 第32页 |
| 3.4 傅里叶级数展开法求解待定系数 | 第32-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 基于半解析法的全耗尽SOI MOSFET模型的验证 | 第37-49页 |
| 4.1 ATLAS器件仿真流程 | 第37-38页 |
| 4.2 SOI MOSFET模型二维电势算法验证 | 第38-41页 |
| 4.3 SOI MOSFET模型二维表面电势验证 | 第41-48页 |
| 4.3.1 不同沟道长度下的表面势 | 第41-43页 |
| 4.3.2 不同氧化层厚度下的表面势 | 第43-45页 |
| 4.3.3 不同掺杂浓度下的表面势 | 第45-46页 |
| 4.3.4 不同硅膜厚度下的表面势 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49-50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第56页 |
| 参与的科研项目 | 第56页 |