| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 前言 | 第13-15页 |
| 1.2 热致变色材料研究现状 | 第15-19页 |
| 1.3 课题主要研究内容 | 第19-21页 |
| 2 周期性微结构表面热致变色薄膜热辐射特性模拟 | 第21-35页 |
| 2.1 材料物性参数计算 | 第21-24页 |
| 2.2 模型建立与数值计算 | 第24-26页 |
| 2.3 计算结果与讨论 | 第26-34页 |
| 2.3.1 周期对热致变色薄膜发射率影响 | 第29-31页 |
| 2.3.2 沟槽深度对热致变色薄膜发射率的影响 | 第31-33页 |
| 2.3.3 金属铝(Al)过渡层对热致变色薄膜发射率的影响 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 单晶硅(Si)微结构表面的制备 | 第35-46页 |
| 3.1 光刻蚀技术介绍 | 第35-38页 |
| 3.1.1 光刻工艺概述 | 第35-36页 |
| 3.1.2 刻蚀工艺概述 | 第36-38页 |
| 3.2 实验中具体过程 | 第38-40页 |
| 3.3 不同刻蚀工艺下刻蚀结果分析 | 第40-44页 |
| 3.3.1 RIE刻蚀中工作气体对硅刻蚀形貌的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.2 ICP刻蚀中工作气体对硅刻蚀形貌的影响 | 第43-44页 |
| 3.4 刻蚀速率分析 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 热致变色薄膜的制备及薄膜特征 | 第46-55页 |
| 4.1 磁控溅射镀膜法 | 第46-47页 |
| 4.2 实验系统介绍 | 第47-48页 |
| 4.3 热致变色薄膜样品的制备 | 第48-51页 |
| 4.3.1 靶材的制备 | 第48-49页 |
| 4.3.2 基片和靶材的清洗和安装 | 第49页 |
| 4.3.3 磁控溅射镀膜 | 第49-50页 |
| 4.3.4 薄膜退火处理 | 第50页 |
| 4.3.5 热致变色薄膜特征 | 第50-51页 |
| 4.4 薄膜样品能谱分析 | 第51-52页 |
| 4.5 薄膜样品磁输运特性表征 | 第52-54页 |
| 4.6 本章小节 | 第54-55页 |
| 5 微结构热致变色薄膜的热辐射特性研究 | 第55-75页 |
| 5.1 辐射特性测试方法 | 第55-58页 |
| 5.1.1 实验测试方法 | 第56-58页 |
| 5.2 微结构对硅基底的热辐射特性研究 | 第58-59页 |
| 5.3 一维光栅微结构尺寸下的薄膜热辐射特性研究 | 第59-66页 |
| 5.3.1 光栅周期对薄膜热辐射特性的影响 | 第59-62页 |
| 5.3.2 沟槽深度对薄膜热辐射特性的影响 | 第62-65页 |
| 5.3.3 光栅薄膜样品薄膜厚度对热辐射特性的影响 | 第65-66页 |
| 5.4 采用铝(Al)作为过渡层微结构对薄膜热辐射特性研究 | 第66-69页 |
| 5.4.1 铝过渡层热致变色薄膜厚度对热辐射特性的影响 | 第67-69页 |
| 5.5 二维方孔结构下薄膜热辐射特性研究 | 第69-71页 |
| 5.5.1 方孔深度对薄膜热辐射特性的影响 | 第69-71页 |
| 5.6 模拟与实验对比 | 第71-73页 |
| 5.6.1 一维光栅结构对比 | 第71-72页 |
| 5.6.2 具有铝过渡层结构对比 | 第72-73页 |
| 5.6.3 二维方孔结构对比 | 第73页 |
| 5.7 本章小节 | 第73-75页 |
| 6 总结与展望 | 第75-79页 |
| 6.1 总结 | 第75-77页 |
| 6.2 主要创新点 | 第77页 |
| 6.3 工作展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
