| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-11页 |
| 第2章 文献综述 | 第11-23页 |
| 2.1 GaN概述 | 第11-12页 |
| 2.2 GaN的基本性质 | 第12-13页 |
| 2.2.1 GaN的晶体结构与物理特性 | 第12-13页 |
| 2.2.2 GaN材料的化学特性 | 第13页 |
| 2.2.3 GaN材料的电学特性 | 第13页 |
| 2.2.4 GaN材料的光学特性 | 第13页 |
| 2.3 GaN单晶主要生长方法 | 第13-16页 |
| 2.3.1 气相传输法 | 第13-14页 |
| 2.3.2 高压氮溶液法(HPNSG) | 第14-15页 |
| 2.3.3 Na助溶剂法 | 第15页 |
| 2.3.4 氨热法 | 第15-16页 |
| 2.4 GaN薄膜生长方法 | 第16-20页 |
| 2.4.1 金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD) | 第16-17页 |
| 2.4.2 分子束外延法(MBE) | 第17-18页 |
| 2.4.3 氢化物气相外延法(HVPE) | 第18-20页 |
| 2.5 GaN基器件的应用 | 第20-22页 |
| 2.5.1 高亮度的彩色发光LED | 第20-21页 |
| 2.5.2 高性能的紫外探测器 | 第21页 |
| 2.5.3 高频、高功率和高温电子器件 | 第21-22页 |
| 2.6 选题依据和主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第3章 实验 | 第23-35页 |
| 3.1 衬底的选择 | 第23-25页 |
| 3.1.1 蓝宝石 | 第23-24页 |
| 3.1.2 SiC晶体 | 第24页 |
| 3.1.3 铝酸锂晶体 | 第24-25页 |
| 3.2 MOCVD系统 | 第25-30页 |
| 3.2.1 气体输运分系统 | 第26-28页 |
| 3.2.2 反应室分系统 | 第28-29页 |
| 3.2.3 生长控制分系统 | 第29-30页 |
| 3.3 生长工艺 | 第30-31页 |
| 3.4 表征手段 | 第31-35页 |
| 3.4.1 X射线衍射测试 | 第31-32页 |
| 3.4.2 Raman散射 | 第32-33页 |
| 3.4.3 紫外-可见光分光光度测试 | 第33页 |
| 3.4.4 光致发光谱(PL谱) | 第33-34页 |
| 3.4.5 电致发光谱(EL谱) | 第34-35页 |
| 第4章 蓝宝石衬底上GaN基LED研究 | 第35-43页 |
| 4.1 极性材料和非极性/半极性材料 | 第35-36页 |
| 4.2 a面蓝宝石衬底和c面蓝宝石衬底上GaN基LED表征分析 | 第36-39页 |
| 4.2.1 a面蓝宝石衬底和c面蓝宝石衬底上GaN薄膜的结构分析 | 第36-38页 |
| 4.2.2 a面蓝宝石衬底和c面蓝宝石衬底上GaN薄膜光学性能分析 | 第38-39页 |
| 4.3 r面蓝宝石衬底上GaN基LED表征分析 | 第39-43页 |
| 4.3.1 r面蓝宝石衬底上GaN薄膜的结构分析 | 第40-41页 |
| 4.3.2 r面蓝宝石衬底上GaN薄膜的光学性能分析 | 第41-43页 |
| 第5章 铝酸锂衬底上GaN基LED研究 | 第43-48页 |
| 5.1 m面GaN基LED的结构表征 | 第43-44页 |
| 5.2 m面GaN基LED光学性能的研充 | 第44-46页 |
| 5.3 m面GaN基LED的电学性能 | 第46-48页 |
| 第6章 结论与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读学位期间所开展的科研项目和发表的学术论文 | 第55页 |
