| 摘要 | 第6-9页 |
| abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第15-45页 |
| 1.1 碳材料的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.2 石墨炔的发现及意义 | 第18-23页 |
| 1.3 石墨炔的研究现状 | 第23-35页 |
| 1.3.1 电子结构研究 | 第23-26页 |
| 1.3.2 力学性能研究 | 第26-29页 |
| 1.3.3 功能化 | 第29-31页 |
| 1.3.4 石墨炔纳米带 | 第31-32页 |
| 1.3.5 石墨炔衍生物 | 第32-35页 |
| 1.4 碳硅炔研究意义及可行性 | 第35页 |
| 1.5 本论文的安排 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-45页 |
| 第二章 理论方法介绍 | 第45-60页 |
| 2.1 半经验参数化哈密顿量SCED-LCAO方法 | 第45-49页 |
| 2.1.1 自洽环境相关的原子轨道线性组合(SCED-LCAO)哈密顿量 | 第45-47页 |
| 2.1.2 SCED-LCAO方法的优势 | 第47-49页 |
| 2.2 第一性原理方法简介 | 第49-52页 |
| 2.2.1 玻恩-奥本海默近似(绝热近似) | 第49-50页 |
| 2.2.2 Hartree单电子近似 | 第50-51页 |
| 2.2.3 Hartree-Fock近似 | 第51-52页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第52-58页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第52-53页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第53-54页 |
| 2.3.3 交换关联泛函 | 第54-56页 |
| 2.3.4 杂化泛函 (HSE06) | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第三章 碳硅二炔结构及性质分子动力学模拟研究 | 第60-74页 |
| 3.1 引言 | 第60-62页 |
| 3.2 理论方法 | 第62页 |
| 3.3 模拟结果与讨论 | 第62-71页 |
| 3.4 小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第四章 Si_mC_n碳硅炔的稳定性以及电子结构的模拟研究 | 第74-92页 |
| 4.1 引言 | 第74-75页 |
| 4.2 计算方法与细节 | 第75页 |
| 4.3 Si_mC_n碳硅炔的结构优化 | 第75-79页 |
| 4.4 Si_mC_n碳硅炔的稳定结构的局域分析 | 第79-82页 |
| 4.5 Si_mC_n碳硅炔的电子结构 | 第82-88页 |
| 4.6 Si_mC_n碳硅炔的热稳定性模拟研究 | 第88-89页 |
| 4.7 小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第五章 α-Si_1C_7 graphyne的稳定性以及应力调控下电子结构的模拟研究 | 第92-115页 |
| 5.1 引言 | 第92页 |
| 5.2 计算方法与细节 | 第92-93页 |
| 5.3 稳定性与电子结构 | 第93-94页 |
| 5.4 应力调控下电子结构 | 第94-112页 |
| 5.5 小结 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-115页 |
| 第六章 总结与展望 | 第115-118页 |
| 作者在攻读学位期间完成的论文 | 第118-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
