限域催化刻蚀制备硅纳米线及其表面减反特性研究
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·纳米材料介绍 | 第10-13页 |
| ·纳米材料分类 | 第10-11页 |
| ·纳米材料的特性 | 第11-13页 |
| ·硅纳米线在太阳能电池中的应用 | 第13-17页 |
| ·减反层 | 第13-14页 |
| ·轴向pn结电池 | 第14-15页 |
| ·径向pn结电池 | 第15-17页 |
| ·硅纳米线制备方法研究进展 | 第17-24页 |
| ·金属催化VLS方法 | 第17-19页 |
| ·反应离子刻蚀(RIE)方法 | 第19-20页 |
| ·金属催化化学刻蚀(MACE)法 | 第20-24页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 硅纳米线的制备 | 第29-50页 |
| ·MACE法反应机理 | 第29-32页 |
| ·反应过程 | 第29-30页 |
| ·空穴注入和金属的作用 | 第30-32页 |
| ·硅纳米线的表征方法 | 第32-33页 |
| ·硅纳米线的实验制备 | 第33-45页 |
| ·单层聚苯乙烯球自组装 | 第33-35页 |
| ·氧刻参数对聚苯乙烯球直径的影响 | 第35-39页 |
| ·溅射 | 第39-40页 |
| ·刻蚀溶液浓度对SiNWs制备的影响 | 第40-45页 |
| ·SiNWs制备改进 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 硅纳米线的反射性能研究 | 第50-57页 |
| ·SiNWs反射光谱 | 第50-52页 |
| ·SiNWs的反射随长度的变化 | 第52-53页 |
| ·SiNWs的反射随直径的变化 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 AZO/SiNW双效减反结构研究 | 第57-64页 |
| ·原子层沉积技术制备AZO薄膜 | 第57-60页 |
| ·原子层沉积技术原理 | 第57-58页 |
| ·AZO薄膜制备 | 第58-60页 |
| ·SiNWs上AZO减反膜的研究 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-66页 |
| ·本论文的主要结论 | 第64-65页 |
| ·进一步研究规划 | 第65-66页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第66页 |
