CMOS MAPS带电粒子探测器关键参数研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| ·加速器、对撞机、磁谱仪与LHC | 第10-13页 |
| ·预备知识 | 第13-18页 |
| ·带电粒子能损 | 第14-15页 |
| ·MIP粒子 | 第15-16页 |
| ·统计涨落 | 第16-18页 |
| ·半导体粒子位置探测器 #0 | 第18-23页 |
| ·硅微条探测器 | 第19-20页 |
| ·漂移探测器和硅板探测器 | 第20-21页 |
| ·电荷耦合器件 | 第21-23页 |
| ·本文研究内容 | 第23-24页 |
| 2 像素传感器原理 | 第24-33页 |
| ·混合式像素传感器 | 第25-27页 |
| ·单片式像素传感器 | 第27-30页 |
| ·读出电子学隔离 | 第27-28页 |
| ·像素集成预放大器 | 第28-30页 |
| ·CMOS单片式有源像素传感器 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 MIMOSA的改进分析 | 第33-62页 |
| ·方案分析 | 第33-36页 |
| ·软件工具 | 第36-37页 |
| ·建立模型 | 第37-51页 |
| ·几何模型及掺杂设置 | 第39-42页 |
| ·物理学模型 | 第42-45页 |
| ·单MIP粒子仿真 | 第45-48页 |
| ·多粒子仿真 | 第48-51页 |
| ·静态仿真结果 | 第51-56页 |
| ·电荷收集仿真结果 | 第56-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 4 关键工艺参数分析 | 第62-80页 |
| ·掺杂与耗尽层 | 第62-67页 |
| ·掺杂与电势电场 | 第67-73页 |
| ·P型外延层 | 第67-70页 |
| ·N型外延层 | 第70-73页 |
| ·外延层厚度的影响 | 第73-77页 |
| ·14μm厚外延层 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 5 非均匀掺杂外延探测器 | 第80-89页 |
| ·指数梯度掺杂 | 第80-82页 |
| ·可制造性分析 | 第82-84页 |
| ·外延同时掺杂 | 第82-83页 |
| ·先外延后掺杂 | 第83-84页 |
| ·高斯梯度掺杂 | 第84-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 6 对比实验 | 第89-98页 |
| ·π介子束流实验 | 第89-91页 |
| ·~(55)Fe实验 | 第91-95页 |
| ·~(106)Ru实验 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 结论 | 第98-100页 |
| 创新点摘要 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-107页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 作者简介 | 第109-110页 |
