| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-37页 |
| ·ZnO的基本结构和性质 | 第15-20页 |
| ·ZnO的基本结构 | 第15-17页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第17-19页 |
| ·ZnO的物理和化学性质 | 第19-20页 |
| ·ZnO的性能 | 第20-25页 |
| ·ZnO的光学性能 | 第20-24页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第24-25页 |
| ·ZnO的缺陷与掺杂 | 第25-34页 |
| ·ZnO的本征缺陷 | 第25-27页 |
| ·ZnO的非故意掺杂 | 第27-28页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第28-33页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第33-34页 |
| ·p型ZnO基器件性能 | 第34-35页 |
| ·p沟道MOSFET证明半导体材料导电性. | 第34-35页 |
| ·p型ZnO薄膜的光电导现象 | 第35页 |
| ·博士课题的提出 | 第35-37页 |
| 第三章 实验设备原理、实验过程及性能表征 | 第37-49页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD)设备 | 第37-40页 |
| ·PLD生长薄膜材料原理 | 第40-43页 |
| ·实验原料及实验过程 | 第43-45页 |
| ·快速退火原理 | 第45-47页 |
| ·快速退火炉系统 | 第45-46页 |
| ·本实验使用的退火炉 | 第46-47页 |
| ·性能评价手段 | 第47-49页 |
| 第四章 Na掺杂p型ZnMgO薄膜的制备及p型场效应晶体管 | 第49-60页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第49-50页 |
| ·Na掺杂p型ZnMgO薄膜的性能表征 | 第50-53页 |
| ·薄膜的SEM形貌表征 | 第50-51页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第51页 |
| ·薄膜的X射线衍射(XRD)分析 | 第51-52页 |
| ·薄膜的电学性能 | 第52页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第52-53页 |
| ·霍尔效应判断载流子类型的原理 | 第53-54页 |
| ·p沟道耗尽型场效应晶体管 | 第54-56页 |
| ·Na掺杂ZnMgO薄膜基p型场效应晶体管的制备 | 第56-57页 |
| ·实验结果与讨论 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 退火对Na掺杂p型ZnMgO薄膜性能的影响 | 第60-68页 |
| ·快速退火工艺对薄膜性能的影响 | 第60-62页 |
| ·退火对Na掺杂p型ZnMgO薄膜性能的影响 | 第62-67页 |
| ·不同退火温度下Na掺杂p型ZnMgO薄膜的电学性能 | 第62-63页 |
| ·不同退火温度下Na掺杂p型ZnMgO薄膜的XRD分析 | 第63-65页 |
| ·不同退火温度下Na掺杂p型ZnMgO薄膜的表面形貌 | 第65-66页 |
| ·不同退火温度下Na掺杂p型ZnMgO薄膜的光学性能分析 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 Na掺杂p型ZnMgO薄膜的光电导特性和欧姆接触电极 | 第68-84页 |
| ·Na掺杂p型ZnMgO薄膜的光电导特性 | 第68-74页 |
| ·光电导原理 | 第68-69页 |
| ·Na掺杂p型ZnMgO薄膜的制备及光电流的测定 | 第69页 |
| ·光电导特性实验结果与讨论 | 第69-74页 |
| ·Na掺杂p型ZnMgO薄膜的欧姆接触电极 | 第74-82页 |
| ·金属与p型半导体的欧姆接触 | 第74-76页 |
| ·欧姆接触电极实验过程及参数 | 第76-77页 |
| ·欧姆接触电阻率的测量原理和方法 | 第77-79页 |
| ·欧姆接触电极实验结果与讨论 | 第79-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第七章 氧等离子体处理对Ga掺杂ZnO薄膜表面性能的影响 | 第84-93页 |
| ·Ga掺杂ZnO薄膜制备及表面氧等离子体处理 | 第84-85页 |
| ·结果与讨论 | 第85-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第八章 总结 | 第93-96页 |
| 参考文献 | 第96-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第116-117页 |
