| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·本文的研究背景、目的和意义 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状及发展动态分析 | 第11-19页 |
| ·电力电子系统的故障诊断与预报的研究现状 | 第11-15页 |
| ·电力电子系统中状态监测的研究现状 | 第15-19页 |
| ·本文的主要工作与研究内容 | 第19-23页 |
| 第二章 一种 IGBT 模块内部温度的计算模型及参数提取策略 | 第23-47页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·IGBT 模块的结构分析 | 第24-26页 |
| ·IGBT 模块的集总参数热网络模型 | 第26-30页 |
| ·计算非稳态导热问题的集总参数法的应用条件 | 第26-27页 |
| ·IGBT 模块导热模型的建立 | 第27-30页 |
| ·基于有限元模型的未知参数的提取 | 第30-33页 |
| ·等效热阻的提取 | 第30-31页 |
| ·等效热容的提取 | 第31-32页 |
| ·IGBT 模块热损耗的计算 | 第32-33页 |
| ·模型的实验验证 | 第33-38页 |
| ·IGBT 模块温度测量系统 | 第33-35页 |
| ·功率脉冲下的温度响应验证（算例 1） | 第35-36页 |
| ·底板温度时变条件下的模型验证（算例 2） | 第36-37页 |
| ·底板温度与结温的实验验证 | 第37-38页 |
| ·基于传热反问题的热网络模型参数提取策略 | 第38-43页 |
| ·传热反问题 | 第38-39页 |
| ·热网络模型参数的提取 | 第39-43页 |
| ·实验结果验证 | 第43-45页 |
| ·利用传热反问题求解实际导热边界的参数提取验证 | 第43-45页 |
| ·多热源耦合对温度计算的影响 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 基于 ARMA 的 IGBT 模块温度预测方法研究 | 第47-57页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·基于时间序列的预测机理研究 | 第48-54页 |
| ·时间序列的预测方法 | 第48-50页 |
| ·ARMA 模型的最佳预测方法 | 第50-51页 |
| ·IGBT 模块温度预测模型的建立 | 第51-54页 |
| ·IGBT 模块内部温度的预测 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 IGBT 芯片的物理建模及其模型参数提取 | 第57-85页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·IGBT 芯片的工作机理 | 第58-61页 |
| ·基于半导体物理的机理分析 | 第58-60页 |
| ·基于等效电路的机理分析 | 第60-61页 |
| ·IGBT 芯片宽基区载流子运动的物理建模 | 第61-68页 |
| ·宽基区载流子运动模型的导出 | 第62-67页 |
| ·IGBT 芯片宽基区物理模型在小注入条件下的简化 | 第67-68页 |
| ·IGBT 芯片宽基区物理模型在大注入条件下的简化 | 第68页 |
| ·载流子双极输运方程的求解 | 第68-74页 |
| ·求解方法 | 第68-69页 |
| ·确定边界条件 | 第69-71页 |
| ·求解关键步骤分析 | 第71-74页 |
| ·IGBT 芯片导通压降的建模 | 第74-76页 |
| ·PN 结电压的计算 | 第75页 |
| ·IGBT 芯片漂移区电阻压降的计算 | 第75-76页 |
| ·IGBT 芯片宽基区物理模型参数的获取 | 第76-80页 |
| ·门极参数的提取 | 第77-78页 |
| ·IGBT 芯片结构的几何参数的提取 | 第78-79页 |
| ·BJT 部分的参数的提取 | 第79-80页 |
| ·仿真与实验验证 | 第80-83页 |
| ·稳态特性分析 | 第80-81页 |
| ·动态特性分析 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第五章 IGBT 模块键接线失效的状态监测的机理研究 | 第85-107页 |
| ·引言 | 第85-86页 |
| ·IGBT 模块内部键接线脱落故障分析 | 第86-88页 |
| ·IGBT 模块内部键接线脱落对门极电容的影响 | 第88-93页 |
| ·门极-射极的极间电容 | 第89-91页 |
| ·门极-集电极的极间电容 | 第91-93页 |
| ·IGBT 模块内部键接线脱落故障对模块内部寄生电感的影响 | 第93-94页 |
| ·键接线脱落故障对 IGBT 模块的性能影响 | 第94-98页 |
| ·门极电容对 IGBT 开通过程的电压波形影响 | 第94-96页 |
| ·IGBT 模块通态饱和电压的变化 | 第96-97页 |
| ·IGBT 模块温度变化及其影响分析 | 第97-98页 |
| ·实验平台及实验方案 | 第98-99页 |
| ·实验平台 | 第98-99页 |
| ·实验方案 | 第99页 |
| ·实验结果及分析 | 第99-105页 |
| ·门极-射极之间的极间电压 | 第99-101页 |
| ·集电极-射极之间的极间电压 | 第101-104页 |
| ·IGBT 模块的通态电压实验波形 | 第104页 |
| ·IGBT 模块关断过程中 VCE、IC波形 | 第104-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 第六章 总结与展望 | 第107-111页 |
| ·本文工作总结 | 第107-108页 |
| ·本文的创新点 | 第108-109页 |
| ·后续工作展望 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-123页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第123-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
