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SoC可靠性设计中的若干关键问题研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-8页
致谢第8-15页
第一章 绪论第15-24页
   ·研究背景与意义第15-20页
     ·超大规模集成电路可靠性概述第15-16页
     ·长寿命可靠性设计第16-18页
       ·NBTI 及 HCI 回顾第16-17页
       ·老化问题研究现状第17-18页
     ·抗恶劣环境的可靠性设计第18-20页
     ·研究意义第20页
   ·本文研究内容及主要贡献第20-22页
     ·研究内容第20-21页
     ·主要贡献第21-22页
   ·课题来源第22页
   ·论文结构安排第22-24页
第二章 综合与仿真工具概述第24-31页
   ·综合介绍第24-25页
     ·综合概述第24-25页
     ·DC 综合器介绍第25页
   ·HSPICE 仿真介绍第25-27页
     ·HSPICE 简介第25页
     ·HSPICE 特点及结构第25-26页
     ·HSPICE 的输入与输出文件第26-27页
       ·输入网表文件第26页
       ·输出列表文件第26-27页
   ·HSPICE 中电路老化仿真方法第27-29页
     ·修改库文件下阈值电压参数第27-28页
     ·MOSRA 模型第28-29页
   ·ANSYS 有限元仿真平台第29-31页
第三章 软错误与老化在线检测电路设计第31-37页
   ·CBILBO 电路回顾第31-32页
     ·内建自测试第31页
     ·CBILBO第31-32页
   ·老化故障分析及软错误简介第32-33页
   ·软错误与老化在线检测器( SEAOS)第33-34页
     ·SEAOS 单元设计第33页
     ·CBILBO 复用第33-34页
   ·SEAOS 单元故障模拟及面积评估第34-36页
     ·故障模拟第34-35页
     ·面积开销评估第35页
     ·SEU 故障检测率评估第35-36页
   ·小结第36-37页
第四章 基于 CBILBO 的抗老化电路设计第37-44页
   ·时序拆借技术第37-39页
     ·传统时序约束回顾第37页
     ·时序拆借约束第37-39页
   ·基于时序拆借的老化延缓电路设计第39-40页
   ·TFM-CBILBO 面积及性能分析第40-43页
     ·面积开销分析第41页
     ·性能开销分析第41-42页
     ·实验结果第42-43页
   ·小结第43-44页
第五章 SoC 冲击过载及热力学过载的研究分析第44-59页
   ·基于 ANSYS 的弹载芯片冲击过载建模第44-48页
     ·建立几何模型第44-46页
     ·几何模型映射到 ANSYS 模型第46页
     ·网格划分第46-47页
     ·施加边界条件和载荷第47-48页
     ·求解选项控制第48页
   ·弹载芯片冲击过载仿真与分析第48-52页
     ·后处理第48页
     ·环氧树脂封装的冲击过载仿真第48-49页
     ·环氧树脂封装的冲击过载分析第49-50页
     ·陶瓷封装的冲击过载仿真与分析第50-51页
     ·环氧树脂封装的斜向冲击过载第51-52页
   ·键合金丝的建模过程第52-54页
   ·基于 ANSYS 的热力学过载建模第54-56页
     ·建立几何模型第54-55页
     ·几何模型映射到 ANSYS 模型第55页
     ·网格划分第55-56页
     ·施加边界条件和载荷第56页
   ·热力学过载仿真及分析第56-58页
     ·等效应力结果分析第56-57页
     ·封装焊接点的剪切应力分析第57-58页
   ·小结第58-59页
第六章 结束语第59-61页
   ·总结第59-60页
   ·展望第60-61页
参考文献第61-66页
附录第66-67页

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