SoC可靠性设计中的若干关键问题研究
摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
致谢 | 第8-15页 |
第一章 绪论 | 第15-24页 |
·研究背景与意义 | 第15-20页 |
·超大规模集成电路可靠性概述 | 第15-16页 |
·长寿命可靠性设计 | 第16-18页 |
·NBTI 及 HCI 回顾 | 第16-17页 |
·老化问题研究现状 | 第17-18页 |
·抗恶劣环境的可靠性设计 | 第18-20页 |
·研究意义 | 第20页 |
·本文研究内容及主要贡献 | 第20-22页 |
·研究内容 | 第20-21页 |
·主要贡献 | 第21-22页 |
·课题来源 | 第22页 |
·论文结构安排 | 第22-24页 |
第二章 综合与仿真工具概述 | 第24-31页 |
·综合介绍 | 第24-25页 |
·综合概述 | 第24-25页 |
·DC 综合器介绍 | 第25页 |
·HSPICE 仿真介绍 | 第25-27页 |
·HSPICE 简介 | 第25页 |
·HSPICE 特点及结构 | 第25-26页 |
·HSPICE 的输入与输出文件 | 第26-27页 |
·输入网表文件 | 第26页 |
·输出列表文件 | 第26-27页 |
·HSPICE 中电路老化仿真方法 | 第27-29页 |
·修改库文件下阈值电压参数 | 第27-28页 |
·MOSRA 模型 | 第28-29页 |
·ANSYS 有限元仿真平台 | 第29-31页 |
第三章 软错误与老化在线检测电路设计 | 第31-37页 |
·CBILBO 电路回顾 | 第31-32页 |
·内建自测试 | 第31页 |
·CBILBO | 第31-32页 |
·老化故障分析及软错误简介 | 第32-33页 |
·软错误与老化在线检测器( SEAOS) | 第33-34页 |
·SEAOS 单元设计 | 第33页 |
·CBILBO 复用 | 第33-34页 |
·SEAOS 单元故障模拟及面积评估 | 第34-36页 |
·故障模拟 | 第34-35页 |
·面积开销评估 | 第35页 |
·SEU 故障检测率评估 | 第35-36页 |
·小结 | 第36-37页 |
第四章 基于 CBILBO 的抗老化电路设计 | 第37-44页 |
·时序拆借技术 | 第37-39页 |
·传统时序约束回顾 | 第37页 |
·时序拆借约束 | 第37-39页 |
·基于时序拆借的老化延缓电路设计 | 第39-40页 |
·TFM-CBILBO 面积及性能分析 | 第40-43页 |
·面积开销分析 | 第41页 |
·性能开销分析 | 第41-42页 |
·实验结果 | 第42-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
第五章 SoC 冲击过载及热力学过载的研究分析 | 第44-59页 |
·基于 ANSYS 的弹载芯片冲击过载建模 | 第44-48页 |
·建立几何模型 | 第44-46页 |
·几何模型映射到 ANSYS 模型 | 第46页 |
·网格划分 | 第46-47页 |
·施加边界条件和载荷 | 第47-48页 |
·求解选项控制 | 第48页 |
·弹载芯片冲击过载仿真与分析 | 第48-52页 |
·后处理 | 第48页 |
·环氧树脂封装的冲击过载仿真 | 第48-49页 |
·环氧树脂封装的冲击过载分析 | 第49-50页 |
·陶瓷封装的冲击过载仿真与分析 | 第50-51页 |
·环氧树脂封装的斜向冲击过载 | 第51-52页 |
·键合金丝的建模过程 | 第52-54页 |
·基于 ANSYS 的热力学过载建模 | 第54-56页 |
·建立几何模型 | 第54-55页 |
·几何模型映射到 ANSYS 模型 | 第55页 |
·网格划分 | 第55-56页 |
·施加边界条件和载荷 | 第56页 |
·热力学过载仿真及分析 | 第56-58页 |
·等效应力结果分析 | 第56-57页 |
·封装焊接点的剪切应力分析 | 第57-58页 |
·小结 | 第58-59页 |
第六章 结束语 | 第59-61页 |
·总结 | 第59-60页 |
·展望 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-66页 |
附录 | 第66-67页 |