| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·有机半导体材料的研究历史 | 第8-9页 |
| ·有机半导体材料的简介 | 第9-13页 |
| ·有机小分子p型半导体材料 | 第9-12页 |
| ·N型有机半导体材料 | 第12-13页 |
| ·双极型有机半导体材料 | 第13页 |
| ·有机半导体器件及其应用 | 第13-17页 |
| ·有机太阳能电池 | 第13-15页 |
| ·有机场效应晶体管 | 第15-16页 |
| ·有机发光二极管 | 第16-17页 |
| ·有机传感器和存储器 | 第17页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 MOS模型及理论 | 第18-29页 |
| ·MOS结构及空间电荷层特性 | 第18-25页 |
| ·表面空间电荷层的形成 | 第18-19页 |
| ·空间电荷层的电场、电位和电容 | 第19-25页 |
| ·理想MOS结构C-V特性 | 第25-29页 |
| 第三章 有机MOS器件制备与性能表征 | 第29-43页 |
| ·有源层的制备工艺 | 第29-30页 |
| ·有机MOS器件的制备 | 第30-32页 |
| ·实验所用试剂和设备 | 第30-31页 |
| ·工艺流程 | 第31-32页 |
| ·有机MOS器件的性能表征 | 第32-43页 |
| ·由MOS电容的最大值确定绝缘层厚度 | 第33-34页 |
| ·由MOS电容的最小值确定最大耗尽层宽度 | 第34-36页 |
| ·利用C_(min)/C_(OX)极小点法确定掺杂浓度 | 第36-38页 |
| ·高频C-V特性与准静态低频特性联合确定界面态密度 | 第38-39页 |
| ·界面陷阱密度 | 第39-43页 |
| 第四章 有机MOS器件的模拟及性能分析 | 第43-51页 |
| ·有机MOS器件C-V特性模拟 | 第43-49页 |
| ·有机MOS器件性能分析 | 第49-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |