光电集成中异质兼容的晶片键合技术及纳米线生长技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·研究的背景和意义 | 第9-11页 |
| ·论文的结构安排 | 第11-12页 |
| 第二章 键合技术综述 | 第12-34页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·晶片键合技术的基本原理与工艺过程 | 第13-19页 |
| ·晶片键合技术的理论依据 | 第13-14页 |
| ·晶片键合技术的趋势与低温键合过程 | 第14-19页 |
| ·晶片键合技术的主要应用 | 第19-22页 |
| ·晶片键合的热应力的影响及解决途径 | 第22-25页 |
| ·低温晶片键合技术的实验研究 | 第25-33页 |
| ·Si/InP表面活化低温晶片键合过程 | 第25-27页 |
| ·Si/InP键合界面形貌分析 | 第27-28页 |
| ·I-V特性测试 | 第28-30页 |
| ·二次离子质谱(SIMS) | 第30-31页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 纳米线生长技术的研究 | 第34-51页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·纳米线的性质 | 第35-40页 |
| ·量子限制效应 | 第36-37页 |
| ·结构和力学性质 | 第37页 |
| ·热性能 | 第37-38页 |
| ·电子传输性质 | 第38页 |
| ·光学性质 | 第38-39页 |
| ·化学与生物传感性质 | 第39-40页 |
| ·声学性质 | 第40页 |
| ·磁学性质 | 第40页 |
| ·纳米线的生长技术 | 第40-44页 |
| ·气液固法(VLS) | 第40-41页 |
| ·激光辅助生长法 | 第41-42页 |
| ·热蒸发 | 第42-43页 |
| ·金属催化分子束外延 | 第43页 |
| ·溶液法 | 第43-44页 |
| ·InP纳米线生长实验的研究分析 | 第44-50页 |
| ·MBE纳米线生长过程研究 | 第44-45页 |
| ·MOCVD纳米线生长过程研究 | 第45-46页 |
| ·InP纳米线生长及其形态分析 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第58页 |
