| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| ·论文结构安排 | 第11-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 第一性原理计算的理论基础和CASTEP简介 | 第14-27页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第14-20页 |
| ·HOHENBERG-KOHN定理 | 第15-16页 |
| ·Kohn-Sham方程及其平面波表达 | 第16-18页 |
| ·局域密度近似(LDA)与广义梯度近似(GGA) | 第18-20页 |
| ·电子与离子相互作用赝势近似 | 第20-21页 |
| ·第一性原理的算法及CASTEP软件特点 | 第21-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第三章 三元系材料GaAsN、GaNP的理论计算 | 第27-49页 |
| ·二元系Ⅲ-Ⅴ化合物半导体的晶格结构 | 第27-29页 |
| ·GaAsN及GaNP理论计算的基础 | 第29-33页 |
| ·晶格常数 | 第29-30页 |
| ·Vegard定理 | 第30-31页 |
| ·半导体能带结构 | 第31-32页 |
| ·团簇近似 | 第32-33页 |
| ·GaN、GaP、GaAs第一性原理计算 | 第33-36页 |
| ·GaAsN材料的第一性原理计算 | 第36-42页 |
| ·GaAsN的晶格常数 | 第36-37页 |
| ·GaAsN的能带结构 | 第37-41页 |
| ·GaAsN的形成焓和总能量的计算 | 第41-42页 |
| ·GaNP材料的第一性原理计算 | 第42-46页 |
| ·GaNP的晶格常数 | 第42页 |
| ·GaNP的能带结构 | 第42-45页 |
| ·GaNP形成焓和总能量的计算 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 含硼光电子材料的生长研究 | 第49-67页 |
| ·BAlAs合金的LP-MOCVD生长研究 | 第50-56页 |
| ·BAlAs的LP-MOCVD生长实验 | 第50-51页 |
| ·BAlAs最优生长温度的探索 | 第51-53页 |
| ·TEB流量对B并入比影响 | 第53-55页 |
| ·AFM测试讨论及结论 | 第55-56页 |
| ·BGaAs、BGaInAs合金的LP-MOCVD生长研究 | 第56-63页 |
| ·BGaAs、BGaInAs的LP-MOCVD生长实验 | 第56-57页 |
| ·BGaAs、BGaInAs样品分析讨论 | 第57-63页 |
| ·本节小结 | 第63页 |
| ·本章小结及展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69页 |
