| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·论文研究的背景、目的和进展 | 第9-13页 |
| ·半导体量子点材料的发展 | 第9-10页 |
| ·量子点器件的应用情况 | 第10-13页 |
| ·本论文的结构安排 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 半导体量子点基本理论及生长制备介绍 | 第17-32页 |
| ·量子点的量子效应 | 第17-19页 |
| ·量子尺寸(约束)效应 | 第17-18页 |
| ·量子限域效应 | 第18页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第18页 |
| ·表面效应 | 第18-19页 |
| ·量子点的制备方法和自组织量子点 | 第19-25页 |
| ·量子点的制备方法 | 第19-21页 |
| ·自组织量子点 | 第21页 |
| ·S-K生长模式 | 第21-25页 |
| ·量子点电子结构的计算理论 | 第25-29页 |
| ·量子点的电子状态和能带结构 | 第25-26页 |
| ·计算半导体量子点电子结构的理论方法 | 第26-29页 |
| ·本章总结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章, 量子点大小及浸润层厚度对量子点电子结构的影响 | 第32-41页 |
| ·半导体杂质能级 | 第32-33页 |
| ·施主杂质 | 第32-33页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质 | 第33页 |
| ·量子限制Stark效应 | 第33-34页 |
| ·量子点大小对类氢掺杂量子点电子结构和结合能的影响 | 第34-37页 |
| ·计算模型 | 第34-35页 |
| ·计算结果及分析 | 第35-37页 |
| ·浸润层厚度对量子点应变分布的影响 | 第37-39页 |
| ·本章总结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第四章, InGaAs/GaAs量子点平衡组分分析 | 第41-50页 |
| ·有限元及二次规划优化方法 | 第41-43页 |
| ·有限元方法 | 第41-42页 |
| ·有限元软件简述 | 第42-43页 |
| ·二次规划方法 | 第43页 |
| ·数值计算及结论 | 第43-47页 |
| ·本章总结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第五章, 沿(111)和(011)方向生长的量子点的电子结构 | 第50-58页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·应变和压电分布计算 | 第50-53页 |
| ·沿(111)和(011)方向生长的量子点的电子结构比较 | 第53-55页 |
| ·本章总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第六章, 后续工作及展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |
