关于高功率脉冲磁控溅射制备ZnO薄膜的研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 ZnO的基本性质及应用 | 第9-10页 |
| 1.3 ZnO的主要制备方法 | 第10-18页 |
| 1.4 p-ZnO制备方法和性能影响因素 | 第18-22页 |
| 1.5 高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS) | 第22-30页 |
| 1.6 本论文研究的目的、意义以及主要内容 | 第30-31页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备和表征 | 第31-36页 |
| 2.1 实验材料及基底预处理方法 | 第31页 |
| 2.2 镀膜设备及工艺参数 | 第31-33页 |
| 2.3 表征设备原理 | 第33-34页 |
| 2.4 等离子体参数测量 | 第34-36页 |
| 第三章 HiPIMS实验参数对放电特性的影响 | 第36-42页 |
| 第四章 ZnO薄膜的结构及其性能研究 | 第42-70页 |
| 4.1 n-ZnO薄膜的制备及工艺参数的影响 | 第42-57页 |
| 4.2 p-ZnO薄膜的制备及工艺参数的影响 | 第57-70页 |
| 第五章 结论和展望 | 第70-72页 |
| 5.1 本文的主要研究成果与结论 | 第70-71页 |
| 5.2 创新点 | 第71页 |
| 5.3 工作展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-84页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第84页 |