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纳米有机硅/聚酰亚胺薄膜的结构与性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第1章 绪论第11-17页
   ·聚酰亚胺简介第11-13页
   ·聚酰亚胺的改性第13-16页
     ·聚酰亚胺改性方法第13-14页
     ·聚酰亚胺/纳米SiO_2 杂化膜的研究现状第14-16页
   ·课题研究意义及内容第16-17页
     ·研究的意义第16页
     ·研究内容第16-17页
第2章 制备杂化膜的基本原理第17-23页
   ·聚酰亚胺的合成-两步合成法第17-19页
     ·聚酰胺酸的形成机理第17-18页
     ·聚酰胺酸的热亚胺环化第18-19页
   ·溶胶-凝胶法第19-21页
     ·溶胶-凝胶法的工艺原理第19-20页
     ·溶胶-凝胶法的影响因素第20-21页
   ·纳米有机硅/PI 杂化膜的制备原理第21页
   ·本章小结第21-23页
第3章 纳米有机硅/聚酰亚胺薄膜的制备与测试第23-31页
   ·主要原料及制备用仪器第23页
     ·主要原料第23页
     ·制备用仪器第23页
   ·原料的处理第23-24页
     ·溶剂的处理第23-24页
     ·原料的预处理第24页
   ·纳米有机硅杂化聚酰亚胺薄膜的制备第24-25页
     ·纳米有机硅溶胶的制备第24页
     ·纳米有机硅溶胶杂化聚酰胺酸第24页
     ·铺膜及亚胺化过程第24-25页
     ·脱模及后处理过程第25页
   ·聚酰胺酸合成过程中的影响因素第25-27页
     ·水分的影响第25页
     ·摩尔比的影响第25-26页
     ·加料次序的影响第26页
     ·固体含量的影响第26页
     ·反应温度的影响第26-27页
   ·制备杂化膜的影响因素第27页
   ·结构和性能测试第27-30页
   ·本章小结第30-31页
第4章 纳米有机硅/聚酰亚胺薄膜的性能分析第31-48页
   ·红外光谱分析第31-32页
   ·表面形貌分析第32-33页
   ·击穿强度分析第33-35页
     ·击穿基本理论第33页
     ·击穿测试结果与分析第33-35页
   ·介电常数和介电损耗分析第35-41页
     ·介电常数基本理论第35-36页
     ·介电损耗基本理论第36-37页
     ·影响相对介电常数和介电损耗角的主要外界因素第37页
     ·相对介电常数结果与分析第37-39页
     ·介电损耗结果与分析第39-41页
   ·耐电晕性分析第41-45页
     ·耐电晕基本理论第41页
     ·测试结果与分析第41-45页
   ·耐热性分析第45-47页
   ·本章小结第47-48页
结论第48-49页
参考文献第49-54页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第54-55页
致谢第55页

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