| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·概述 | 第10-12页 |
| ·功率半导体器件的发展 | 第10-11页 |
| ·功率 LDMOS器件的结构和特点 | 第11-12页 |
| ·器件模型综述 | 第12-18页 |
| ·物理模型 | 第13-14页 |
| ·数值模型 | 第14页 |
| ·宏模型 | 第14-17页 |
| ·经验模型 | 第17-18页 |
| ·建立高压 LDMOS器件模型的方法 | 第18-19页 |
| ·本论文的主要工作和意义 | 第19-21页 |
| ·论文选题的意义 | 第19页 |
| ·论文内容的安排 | 第19-21页 |
| 第二章 高压 LDMOS的结构参数设计 | 第21-34页 |
| ·器件结构设计 | 第21-22页 |
| ·PN结击穿机理 | 第22-23页 |
| ·漂移区参数设计 | 第23-31页 |
| ·漂移区长度 | 第23-24页 |
| ·漂移区浓度和结深 | 第24-29页 |
| ·场板长度 | 第29-31页 |
| ·栅极及沟道参数设计 | 第31-32页 |
| ·阈值电压及沟道浓度设计 | 第31页 |
| ·沟道长度的设计 | 第31-32页 |
| ·栅氧厚度的设计 | 第32页 |
| ·最终确定的结构参数 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第三章 LDMOS电容的分析和计算 | 第34-45页 |
| ·MOS电容和 LDMOS电容的比较 | 第34-35页 |
| ·LDMOS寄生电容模型 | 第35-42页 |
| ·栅源寄生电容 | 第36-40页 |
| ·栅漏寄生电容 | 第40-42页 |
| ·结构和工艺参数对栅电容的影响 | 第42-44页 |
| ·沟道浓度对栅漏电容的影响 | 第42-43页 |
| ·漂移区浓度对栅漏电容的影响 | 第43页 |
| ·场板长度对栅漏电容的影响 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第四章 切比雪夫(Chebyshev)多项式模型 | 第45-58页 |
| ·切比雪夫(Chebyshev)多项式建模的基本思想 | 第45-54页 |
| ·拉格朗日逼近的性质 | 第46-47页 |
| ·切比雪夫多项式性质 | 第47-48页 |
| ·插值多项式余项的极小化 | 第48页 |
| ·一维切比雪夫(Chebyshev)多项式模型 | 第48-50页 |
| ·二维切比雪夫(Chebyshev)多项式模型 | 第50-52页 |
| ·二维电流的数学模型 | 第52-54页 |
| ·切比雪夫(Chebyshev)多项式的优越性 | 第54-57页 |
| ·龙格现象(Runge phenomenon) | 第54-55页 |
| ·模型精度比较 | 第55-56页 |
| ·模拟阶数讨论 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第五章 高压LDMOS器件的宏模型 | 第58-67页 |
| ·高压 LDMOS的SPICE模型 | 第58-63页 |
| ·等效电路宏模型 | 第58-59页 |
| ·子电路宏模型 | 第59-60页 |
| ·直流电流宏模型 | 第60-61页 |
| ·寄生电容宏模型 | 第61-62页 |
| ·寄生二极管宏模型 | 第62-63页 |
| ·模型的验证 | 第63-66页 |
| ·SPICE中基本语法结构 | 第63-64页 |
| ·IV特性特性测试 | 第64-65页 |
| ·SPICE库的建立和瞬态特性测试 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第75页 |