| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| §1-1 气敏技术研究现状以及发展趋势 | 第8-10页 |
| 1-1-1 气敏传感器及其分类 | 第8-9页 |
| 1-1-2 国内、外气敏技术现状 | 第9-10页 |
| 1-1-3 气敏传感器的发展趋势 | 第10页 |
| §1-2 薄膜型气体传感器研究进展 | 第10-11页 |
| §1-3 本论文的主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 薄膜理论及制备方法 | 第12-20页 |
| §2-1 薄膜的性质 | 第12-13页 |
| §2-2 薄膜的结构与缺陷 | 第13-15页 |
| 2-2-1 薄膜的结构 | 第13-14页 |
| 2-2-2 薄膜的缺陷 | 第14-15页 |
| §2-3 薄膜的生长 | 第15-16页 |
| §2-4 常用薄膜淀积技术 | 第16-18页 |
| 2-4-1 物理汽相淀积 | 第16-17页 |
| 2-4-2 化学汽相淀积 | 第17页 |
| 2-4-3 热氧化法 | 第17页 |
| 2-4-4 电镀法 | 第17页 |
| 2-4-5 物理淀积 | 第17-18页 |
| §2-5 直流磁控反应溅射技术及其特点 | 第18-20页 |
| 第三章 ZnO 薄膜气敏元件的研制及其气敏特性研究 | 第20-31页 |
| §3-1 ZnO 薄膜结构及其气敏特性 | 第20-21页 |
| 3-1-1 ZnO 薄膜晶体结构 | 第20页 |
| 3-1-2 ZnO 薄膜的本征缺陷 | 第20-21页 |
| 3-1-3 ZnO 薄膜气敏特性 | 第21页 |
| §3-2 ZnO 薄膜的制备 | 第21-22页 |
| §3-3 工艺参数对薄膜质量的影响 | 第22-23页 |
| 3-3-1 溅射速率 | 第22页 |
| 3-3-2 氧氩比 | 第22-23页 |
| 3-3-3 本底真空度和送氩量 | 第23页 |
| 3-3-4 溅射功率 | 第23页 |
| 3-3-5 基片的清洁 | 第23页 |
| 3-3-6 退火温度 | 第23页 |
| §3-4 ZnO 薄膜丙酮气敏元件的制备及气敏特性研究 | 第23-31页 |
| 3-4-1 ZnO 薄膜气敏元件的制备 | 第24页 |
| 3-4-2 薄膜结构分析 | 第24-25页 |
| 3-4-3 气敏特性测试 | 第25-27页 |
| 3-4-4 掺杂前后薄膜丙酮气敏性对比 | 第27-28页 |
| 3-4-5 ZnO 薄膜的气敏机理 | 第28-29页 |
| 3-4-6 ZnO 薄膜对丙酮的敏感机理 | 第29-31页 |
| 第四章 掺杂对 ZnO 薄膜气敏特性的影响 | 第31-41页 |
| §4-1 金属氧化物掺杂对ZnO 薄膜气敏特性的影响 | 第31-33页 |
| 4-1-1 金属氧化物掺杂的作用机理 | 第31页 |
| 4-1-2 金属氧化物掺杂对气敏特性的影响 | 第31-33页 |
| §4-2 掺Ti02的ZnO薄膜气敏特性研究 | 第33-38页 |
| 4-2-1 薄膜结构分析 | 第33-34页 |
| 4-2-2 薄膜气敏特性分析 | 第34-37页 |
| 4-2-3 薄膜气敏机理讨论 | 第37-38页 |
| §4-3 掺La_2O_3的ZnO广谱型气敏薄膜研究 | 第38-41页 |
| 第五章 掺杂的SnO_2薄膜气敏特性研究 | 第41-45页 |
| §5-1 掺杂金属氧化物的SnO_2传感器的发展状况 | 第41页 |
| §5-2 掺杂ZnO的SnO_2薄膜气敏特性研究 | 第41-45页 |
| 5-2-1 气敏薄膜的制备 | 第41-42页 |
| 5-2-2 元件气敏测试及数据分析 | 第42-45页 |
| 第六章 气敏元件结构设计以及气敏性失效分析 | 第45-50页 |
| §6-1 气敏元件结构设计 | 第45-47页 |
| §6-2 气体元件失效分析 | 第47-50页 |
| 第七章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第55页 |
