摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-14页 |
第一章 绪论 | 第14-34页 |
·纳米材料研究的进展和趋势 | 第14-24页 |
·纳米材料的基本概念和性质 | 第14-16页 |
·纳米材料的特性和应用 | 第16-19页 |
·纳米材料的制备方法 | 第19-22页 |
·异质结构纳米材料 | 第22-24页 |
·ZnO 基半导体异质结构材料的研究背景 | 第24-28页 |
·ZnO 材料的基本特性 | 第25-26页 |
·ZnO 材料生长方法 | 第26-27页 |
·ZnO 材料的应用及发展前景 | 第27-28页 |
·论文构架 | 第28-30页 |
参考文献 | 第30-34页 |
第二章 材料制备和表征方法 | 第34-50页 |
·衬底的选择 | 第34-35页 |
·材料制备方法 | 第35-38页 |
·材料的磁控溅射沉积 | 第35-37页 |
·材料的化学气相沉积 | 第37-38页 |
·材料表征方法 | 第38-48页 |
·晶格结构的X 射线衍射 | 第38-40页 |
·材料的扫描电子显微镜观测 | 第40-43页 |
·材料结构的透射电子显微镜观测 | 第43-46页 |
·材料应力的拉曼散射光谱分析 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-50页 |
第三章 ZnO/Au 异质纳米结构材料的设计 | 第50-64页 |
·引言 | 第50-51页 |
·理论计算方法 | 第51-57页 |
·密度泛函理论 | 第51-55页 |
·赝势 | 第55-56页 |
·VASP 程序包 | 第56-57页 |
·ZnO/Au 薄层的结构设计 | 第57-59页 |
·小结 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-64页 |
第四章 ZnO/Au 异质纳米结构的制备和特性 | 第64-87页 |
·引言 | 第64-65页 |
·Au 纳米薄膜的沉积 | 第65-70页 |
·Au 纳米缓冲层上的ZnO 生长 | 第70-81页 |
·ZnO 薄膜的生长 | 第70-76页 |
·异质纳米结构ZnO 中的应力释放 | 第76-80页 |
·异质ZnO 薄膜极性的作用 | 第80-81页 |
·小结 | 第81-84页 |
参考文献 | 第84-87页 |
第五章 Zn_2SiO_4-Zn纳米同轴异质结构的制备和特性 | 第87-109页 |
·引言 | 第87-91页 |
·一维纳米结构生长过程 | 第87-88页 |
·化学气相法制备一维纳米材料 | 第88-90页 |
·异质结构一维纳米材料 | 第90-91页 |
·Zn_2SiO_4纳米线 | 第91-96页 |
·Zn_2SiO_4-Zn 纳米异质同轴线 | 第96-104页 |
·表面形貌 | 第96-97页 |
·结构 | 第97-98页 |
·化学组成 | 第98-101页 |
·生长机制 | 第101-103页 |
·纳米异质同轴线的发光特性 | 第103-104页 |
·小结 | 第104-106页 |
参考文献 | 第106-109页 |
第六章 纳米同轴异质结构中光放大的研究 | 第109-126页 |
·引言 | 第109-110页 |
·纳米同轴异质结构中的光传播模式 | 第110-115页 |
·Zn 金属芯中的等离子体激元传播 | 第110-112页 |
·Zn_2SiO_4 壳层中的光学回音壁模式和波导模式 | 第112-115页 |
·Zn_2SiO_4-Zn 纳米同轴线内发射器-谐振腔耦合 | 第115-121页 |
·同轴线中的自发辐射现象 | 第115-117页 |
·同轴线中的Rabi 分裂 | 第117-121页 |
·小结 | 第121-123页 |
参考文献 | 第123-126页 |
第七章 总结与展望 | 第126-128页 |
附录 博士期间发表的论文 | 第128-129页 |
致谢 | 第129页 |