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微波管中抑制栅电子发射及其冷阴极的探索

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
目录第8-11页
第一章 绪论第11-29页
   ·抑制栅电子发射研究进展第11-17页
     ·行波管概述第11-13页
     ·栅电子发射现象第13-14页
     ·阴极蒸发物的组成第14-16页
     ·行波管的“抑制栅电子发射”研究进展第16-17页
   ·碳纳米管制备和生长技术进展第17-20页
     ·背景和历史第17-19页
     ·碳纳米管制备方法第19-20页
   ·碳纳米管场发射性能第20-22页
   ·碳纳米管的应用第22-28页
     ·碳纳米管在显示器中的应用第22-25页
     ·碳纳米管在微波器件中的应用第25-26页
     ·其他应用第26-28页
   ·本论文工作的意义及其主要内容第28-29页
第二章 铪膜抑制栅电子发射性能研究第29-51页
   ·铪膜制备技术第31-33页
     ·EATON Z200离子束混合沉积系统的机构和工作原理第31-33页
     ·制备工艺第33页
   ·铪膜抑制栅电子发射机理研究第33-50页
     ·试验二极管制作第33-35页
     ·镀铪栅极的试验二极管试验结果第35-37页
     ·试验二极管试验后栅极表面分析第37-45页
     ·镀铪栅极抑制栅电子发射机理讨论第45-49页
     ·铪镀层在行波管中的应用第49-50页
   ·本章小结第50-51页
第三章 铂膜抑制栅电子发射性能研究第51-64页
   ·薄膜制备技术第51-53页
     ·离子束辅助沉积系统的机构和工作原理第51-52页
     ·制备工艺第52-53页
   ·铂膜抑制栅电子发射机理研究第53-61页
     ·试验二极管试验第53页
     ·铂膜栅极的试验二极管结果第53-54页
     ·镀铂栅极试验二极管试验后栅极表面分析第54-60页
     ·镀铂栅极抑制栅电子发射机理讨论第60-61页
   ·其他材料栅极镀层应用分析第61-62页
   ·本章小结第62-64页
第四章 CNTS的制备、表征技术及其场发射性能测试第64-83页
   ·PECVD系统结构及其原理第65-67页
   ·PECVD制备碳纳米管的工艺第67-68页
   ·PECVD制备的碳纳米管表征技术第68-75页
     ·SEM分析第68-69页
     ·TEM分析第69-71页
     ·Roman分析第71页
     ·XPS分析第71-72页
     ·PECVD制备的碳纳米管场发射性能第72-75页
   ·PECVD制备碳纳米管的机理讨论第75-82页
   ·本章小结第82-83页
第五章 增强碳纳米管的场发射性能研究第83-99页
   ·氢等离子表面处理对碳纳米管场发射性能的影响第83-89页
     ·实验方法第83页
     ·结果与分析第83-89页
   ·碳化铪表面处理碳纳米管场发射性能的影响第89-94页
     ·实验方法第90页
     ·结果与分析第90-94页
   ·高电场对碳纳米管场发射性能的影响第94-98页
     ·实验方法第94页
     ·结果与分析第94-98页
   ·本章小结第98-99页
第六章 总结第99-101页
参考文献第101-117页
致谢第117-119页
学位论文独创性声明第119页
学位论文使用授权声明第119页

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