| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·抑制栅电子发射研究进展 | 第11-17页 |
| ·行波管概述 | 第11-13页 |
| ·栅电子发射现象 | 第13-14页 |
| ·阴极蒸发物的组成 | 第14-16页 |
| ·行波管的“抑制栅电子发射”研究进展 | 第16-17页 |
| ·碳纳米管制备和生长技术进展 | 第17-20页 |
| ·背景和历史 | 第17-19页 |
| ·碳纳米管制备方法 | 第19-20页 |
| ·碳纳米管场发射性能 | 第20-22页 |
| ·碳纳米管的应用 | 第22-28页 |
| ·碳纳米管在显示器中的应用 | 第22-25页 |
| ·碳纳米管在微波器件中的应用 | 第25-26页 |
| ·其他应用 | 第26-28页 |
| ·本论文工作的意义及其主要内容 | 第28-29页 |
| 第二章 铪膜抑制栅电子发射性能研究 | 第29-51页 |
| ·铪膜制备技术 | 第31-33页 |
| ·EATON Z200离子束混合沉积系统的机构和工作原理 | 第31-33页 |
| ·制备工艺 | 第33页 |
| ·铪膜抑制栅电子发射机理研究 | 第33-50页 |
| ·试验二极管制作 | 第33-35页 |
| ·镀铪栅极的试验二极管试验结果 | 第35-37页 |
| ·试验二极管试验后栅极表面分析 | 第37-45页 |
| ·镀铪栅极抑制栅电子发射机理讨论 | 第45-49页 |
| ·铪镀层在行波管中的应用 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 铂膜抑制栅电子发射性能研究 | 第51-64页 |
| ·薄膜制备技术 | 第51-53页 |
| ·离子束辅助沉积系统的机构和工作原理 | 第51-52页 |
| ·制备工艺 | 第52-53页 |
| ·铂膜抑制栅电子发射机理研究 | 第53-61页 |
| ·试验二极管试验 | 第53页 |
| ·铂膜栅极的试验二极管结果 | 第53-54页 |
| ·镀铂栅极试验二极管试验后栅极表面分析 | 第54-60页 |
| ·镀铂栅极抑制栅电子发射机理讨论 | 第60-61页 |
| ·其他材料栅极镀层应用分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 CNTS的制备、表征技术及其场发射性能测试 | 第64-83页 |
| ·PECVD系统结构及其原理 | 第65-67页 |
| ·PECVD制备碳纳米管的工艺 | 第67-68页 |
| ·PECVD制备的碳纳米管表征技术 | 第68-75页 |
| ·SEM分析 | 第68-69页 |
| ·TEM分析 | 第69-71页 |
| ·Roman分析 | 第71页 |
| ·XPS分析 | 第71-72页 |
| ·PECVD制备的碳纳米管场发射性能 | 第72-75页 |
| ·PECVD制备碳纳米管的机理讨论 | 第75-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 增强碳纳米管的场发射性能研究 | 第83-99页 |
| ·氢等离子表面处理对碳纳米管场发射性能的影响 | 第83-89页 |
| ·实验方法 | 第83页 |
| ·结果与分析 | 第83-89页 |
| ·碳化铪表面处理碳纳米管场发射性能的影响 | 第89-94页 |
| ·实验方法 | 第90页 |
| ·结果与分析 | 第90-94页 |
| ·高电场对碳纳米管场发射性能的影响 | 第94-98页 |
| ·实验方法 | 第94页 |
| ·结果与分析 | 第94-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 第六章 总结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 学位论文独创性声明 | 第119页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第119页 |