虚拟多介质三维电容提取的性能改进算法研究
摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-8页 |
第1章 引言 | 第8-17页 |
·集成电路发展与寄生参数提取 | 第8-11页 |
·集成电路技术的发展 | 第8-9页 |
·寄生参数提取的意义 | 第9-11页 |
·寄生电容提取的主要方法 | 第11-14页 |
·求解维度的发展 | 第11-12页 |
·三维场求解器的主要数值方法 | 第12-13页 |
·直接边界元方法 | 第13页 |
·虚拟多介质(QMM)方法 | 第13-14页 |
·全耦合电容矩阵的解决方案 | 第14页 |
·论文的贡献与组织 | 第14-17页 |
第2章 三维寄生电容提取方法 | 第17-24页 |
·寄生电容的计算 | 第17-18页 |
·拉普拉斯方程及其边界条件 | 第18-19页 |
·直接边界元方法的计算原理 | 第19-21页 |
·拉普拉斯方程基本解 | 第19页 |
·直接边界积分方程 | 第19-20页 |
·直接边界积分方程离散化 | 第20-21页 |
·虚拟多介质(QMM)加速技术 | 第21-24页 |
·QMM 的基本原理 | 第21-22页 |
·虚拟多介质切割方法 | 第22-23页 |
·QMM 的加速效果 | 第23-24页 |
第3章 多右端方程求解技术 | 第24-43页 |
·基本块高斯方法 | 第24-27页 |
·算法思想与描述 | 第24-25页 |
·BEM 方程的组织特点及其对块高斯方法的适应性 | 第25-27页 |
·算法改进 | 第27-31页 |
·分块策略 | 第27-29页 |
·矩阵压缩方法 | 第29-31页 |
·算法效率分析 | 第31-32页 |
·程序实现 | 第32-36页 |
·矩阵存储结构及分列存储技术 | 第32-34页 |
·有效的LU 分解 | 第34-35页 |
·块高斯方法的详细流程图 | 第35-36页 |
·数值结果 | 第36-43页 |
·二维结果 | 第36-38页 |
·三维结果 | 第38-40页 |
·算法效率的数值实验 | 第40-43页 |
第4章 自适应计算 | 第43-50页 |
·基本自适应计算 | 第43-45页 |
·自适应计算的意义 | 第43页 |
·自适应计算的基本原理及分类 | 第43-44页 |
·h-自适应计算 | 第44-45页 |
·层次式H-自适应计算 | 第45-49页 |
·层次式计算 | 第45-46页 |
·层次式形函数构造 | 第46-48页 |
·层次式h-自适应的计算流程 | 第48-49页 |
·误差估计与加密策略 | 第49-50页 |
第5章 QBEM 中的层次式H-自适应计算 | 第50-67页 |
·程序实现 | 第50-58页 |
·主要数据结构 | 第50-53页 |
·算法流程 | 第53-54页 |
·核心模块算法详述 | 第54-58页 |
·剩余型误差估计与加密策略 | 第58-62页 |
·剩余型误差指示器 | 第58-60页 |
·误差指示器的具体实现 | 第60-62页 |
·加密策略与判停准则 | 第62页 |
·算法效率分析 | 第62-63页 |
·数值结果 | 第63-67页 |
第6章 结论与展望 | 第67-69页 |
·结论 | 第67页 |
·展望 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-73页 |
致谢 | 第73-74页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第74页 |