| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1．1 引言 | 第7-9页 |
| 1．2 光衰减器的发展概况 | 第9页 |
| 1．3 光衰减器的发展种类 | 第9-14页 |
| 1．4 研究内容和意义 | 第14-18页 |
| 1．4．1 本项目的主要研究内容和意义 | 第14-16页 |
| 1．4．2 论文的研究内容和意义 | 第16-18页 |
| 第二章 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的制备及测试分析 | 第18-41页 |
| 2．1 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的性质及应用 | 第18-23页 |
| 2．1．1 氧化铟锡(ITO)的结构 | 第18-19页 |
| 2．1．2 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的电学性质 | 第19-20页 |
| 2．1．3 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的光学性质 | 第20-21页 |
| 2．1．4 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的应用 | 第21-23页 |
| 2．2 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的制各工艺 | 第23-29页 |
| 2．3 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 2．3．1 实验设备及材料准备 | 第29页 |
| 2．3．2 射频磁控溅射ITO薄膜的实验步骤 | 第29-30页 |
| 2．4 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的测试与结果讨论 | 第30-40页 |
| 2．4．1 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜X射线衍射(XRD)的测试 | 第31-32页 |
| 2．4．2 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的SEM图 | 第32页 |
| 2．4．3 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的电学特性的测量 | 第32-34页 |
| 2．4．4 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的光学特性的测量 | 第34-37页 |
| 2．4．5 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜电光特性的讨论 | 第37-40页 |
| 2．4．6 在单模光纤端面溅射氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的实验 | 第40页 |
| 2．5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 液晶可变光衰减器原型器件制作工艺的研究 | 第41-56页 |
| 3．1 液晶可变光衰减器原型器件的制作工艺流程设计 | 第41-42页 |
| 3．2 液晶可变光衰减器原型器件的基本制作工艺 | 第42-50页 |
| 3．2．1 各向异性湿法化学腐蚀掩膜的制作 | 第42-43页 |
| 3．2．2 切割工艺 | 第43-44页 |
| 3．2．3 光刻工艺 | 第44-46页 |
| 3．2．4 反应离子刻蚀工艺 | 第46-47页 |
| 3．2．5 湿法刻蚀工艺 | 第47-49页 |
| 3．2．6 磁控溅射工艺 | 第49-50页 |
| 3．3 取得的初步实验结果 | 第50-55页 |
| 3．3．1 制作出的自对准光纤定位槽 | 第50-53页 |
| 3．3．2 端面溅射ITO薄膜的单模光纤 | 第53-55页 |
| 3．4 本章小结 | 第55-56页 |
| 全文总结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 导师及作者简介 | 第62-64页 |
| 中文详细摘要 | 第64-67页 |
| Ahstract | 第67-69页 |
