| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-39页 |
| ·背景简介 | 第13-26页 |
| ·Sr/Si 体系研究的兴起 | 第13-14页 |
| ·硅基氧化物研究近况和存在的问题 | 第14-18页 |
| ·Sr/Si 表面研究近况 | 第18-26页 |
| ·Sr/Si(100)研究结果 | 第18-24页 |
| ·Sr/Si(111)表面研究背景 | 第24-26页 |
| ·本文的工作 | 第26-27页 |
| ·主要实验方法和仪器 | 第27-39页 |
| ·PLD 实验方法 | 第27-29页 |
| ·STM 简介 | 第29-34页 |
| ·仪器系统介绍 | 第34-39页 |
| 第2章 Sr/Si(100)再构表面的获得 | 第39-53页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·Sr/Si(100)的获得 | 第39-41页 |
| ·Si(100)衬底再构表面获得 | 第39-41页 |
| ·SrO/Si(100)的制备 | 第41页 |
| ·Sr/Si(100)表面SrO 晶态的形成 | 第41-44页 |
| ·Sr/Si(100)高温退火情况 | 第44-46页 |
| ·高温Sr/Si(100)表面随时间的变化 | 第46-50页 |
| ·结论 | 第50-53页 |
| 第3章 Sr/Si(100)-2×3 表面的几何结构及初始氧化研究 | 第53-75页 |
| ·引言 | 第53-55页 |
| ·实验及理论计算方法 | 第55-56页 |
| ·实验方法 | 第55页 |
| ·理论计算 | 第55-56页 |
| ·Sr/Si(100)-2×3 表面的电子和几何结构 | 第56-66页 |
| ·Sr/Si(100)-2×3 表面STM 特征 | 第56-57页 |
| ·I-V 和dI/dV 特性 | 第57-58页 |
| ·Sr/Si(100)-2×3 表面的几何结构与电子之间的相互关联 | 第58-61页 |
| ·Sr/Si(100)-2×3 表面变温电子态变化 | 第61-65页 |
| ·Sr/Si(100)-2×6 及2×3 的极低偏压图像 | 第65-66页 |
| ·Sr/Si(100)-2×3 表面的初始氧化及其结构 | 第66-71页 |
| ·Sr/Si(100)-2×3 表面氧化及还原过程 | 第66-67页 |
| ·氧的初始吸附和氧化位 | 第67-71页 |
| ·Sr/Si(100)-2×3 干净表面的原始缺陷及其电子态 | 第71-73页 |
| ·结论 | 第73-75页 |
| 第4章 Sr/Si(100)-2ב1’再构表面准一维运动研究 | 第75-87页 |
| ·引言 | 第75-77页 |
| ·Sr/Si(100)-2×1 表面的获得 | 第77页 |
| ·实验主要结果及讨论 | 第77-84页 |
| ·Sr/Si(100)-2×1 表面的结构 | 第77-81页 |
| ·Sr/Si(100)-2×1 表面室温下原子的迁移现象 | 第81-84页 |
| ·结论 | 第84-87页 |
| 第5章 Sr/Si(111)-3×2 表面结构及准一维原子移动研究 | 第87-105页 |
| ·引言 | 第87-91页 |
| ·Sr/Si(111)-3×2 表面的获得 | 第91-93页 |
| ·衬底Si(111)-7×7 | 第91-92页 |
| ·Sr/Si(111)-3×2 表面的获得 | 第92-93页 |
| ·Sr/Si(111)-3×2 表面形貌及原子链的整体迁移 | 第93-103页 |
| ·Sr/Si(111)-3×2 表面的典型形貌 | 第93-95页 |
| ·Sr/Si(111)-3×2 表面的电子结构 | 第95-96页 |
| ·Sr/Si(111)-3×2 表面的结构模型 | 第96-98页 |
| ·Sr 原子链的跃迁现象及机制 | 第98-103页 |
| ·结论 | 第103-105页 |
| 第6章 TiSi_2 /Si(100)纳米岛的STM研究 | 第105-119页 |
| ·引言 | 第105-106页 |
| ·实验过程与结果分析 | 第106-112页 |
| ·实验过程 | 第106-107页 |
| ·结果分析 | 第107-112页 |
| ·纳米岛产生的原因 | 第112-117页 |
| ·结论 | 第117-119页 |
| 第7章 结语 | 第119-123页 |
| ·工作成果 | 第119-120页 |
| ·三种表面再构的分析比较 | 第119页 |
| ·几项新现象的发现与解释 | 第119-120页 |
| ·工作中的不足与前景 | 第120-123页 |
| ·工作中的困难所在 | 第120-121页 |
| ·值得继续研究的内容 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第128-129页 |
