深亚微米CMOS工艺下模拟集成电路的数字增强技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| ·CMOS工艺简介及演进状况 | 第11-14页 |
| ·工艺演进对电路的影响 | 第14-17页 |
| ·数字电路和模拟/射频电路之间的联系 | 第17-19页 |
| ·一种解决方案:数字增强技术 | 第19页 |
| ·本文的组织结构 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第2章 数字增强技术的设计方法 | 第23-37页 |
| ·技术理念 | 第23-27页 |
| ·设计方法学 | 第27-35页 |
| ·模拟电路非线性建模 | 第28-31页 |
| ·数字域补偿非线性的方法 | 第31-32页 |
| ·非线性参数的自适应及跟踪 | 第32-34页 |
| ·模拟-数字电路协同设计/仿真 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第3章 射频功率放大器的数字预失真技术 | 第37-99页 |
| ·射频收发机和功率放大器介绍 | 第37-43页 |
| ·射频收发机 | 第37-38页 |
| ·功率放大器及设计折衷 | 第38-42页 |
| ·射频发射机的线性度指标 | 第42-43页 |
| ·射频功率放大器非线性行为建模 | 第43-49页 |
| ·无记忆的功率放大器非线性模型 | 第43-47页 |
| ·带记忆效应的非线性模型 | 第47-49页 |
| ·功放线性化技术回顾 | 第49-57页 |
| ·前馈技术 | 第49-50页 |
| ·正交反馈技术 | 第50-51页 |
| ·包络移除-恢复技术与包络跟踪技术 | 第51-53页 |
| ·使用非线性器件的线性放大技术 | 第53-54页 |
| ·Doherty功率放大器 | 第54-55页 |
| ·数字预失真技术 | 第55-57页 |
| ·一种带延时补偿的快速自适应的数字预失真算法 | 第57-77页 |
| ·数字预失真技术回顾 | 第58-60页 |
| ·基于多层查找表的预失真算法 | 第60-64页 |
| ·自适应环路延时补偿算法 | 第64-71页 |
| ·仿真结果 | 第71-77页 |
| ·利用数字增强技术的射频发射机设计考虑 | 第77-88页 |
| ·残留失真问题 | 第78-79页 |
| ·发射机和反馈接收 | 第79-80页 |
| ·其他非理想性及处理 | 第80-83页 |
| ·基于2-维多层查找表的发射机预失真器 | 第83-88页 |
| ·数字增强的发射机原型设计及测试结果 | 第88-94页 |
| ·发射机原型设计 | 第88-89页 |
| ·测试结果 | 第89-94页 |
| 参考文献 | 第94-99页 |
| 第4章 流水线ADC的数字校正技术 | 第99-141页 |
| ·流水线ADC介绍 | 第99-105页 |
| ·流水线ADC非线性建模 | 第105-112页 |
| ·CMOS工艺演进对流水线ADC的影响 | 第112-113页 |
| ·ADC校正技术回顾 | 第113-125页 |
| ·准后台校正技术 | 第114-115页 |
| ·参考ADC校正技术 | 第115-116页 |
| ·双通道互校正技术 | 第116-118页 |
| ·利用伪随机噪声的校正技术 | 第118-122页 |
| ·基于信号统计特征的校正技术 | 第122页 |
| ·基于频谱扩展的校正技术 | 第122-123页 |
| ·系统嵌入式校正技术 | 第123-125页 |
| ·一种基于虚拟通道的ADC后台校正技术 | 第125-130页 |
| ·虚拟通道方法介绍 | 第125-127页 |
| ·数字预测器 | 第127-128页 |
| ·在流水线ADC中的应用 | 第128-130页 |
| ·与其他校正方法的比较 | 第130页 |
| ·仿真实验结果 | 第130-137页 |
| ·行为级仿真结果 | 第130-134页 |
| ·电路级仿真的初步结果 | 第134-137页 |
| 参考文献 | 第137-141页 |
| 第5章 结论与未来展望 | 第141-145页 |
| 参考文献 | 第143-145页 |
| 附录A | 第145-147页 |
| 附录B | 第147-149页 |
| 致谢 | 第149-151页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第151-153页 |
